Yarı iletken üretiminde kimyasal buhar biriktirme (CVD), SiO2, SiN vb. dahil olmak üzere ince film malzemelerini haznede biriktirmek için kullanılır ve yaygın olarak kullanılan türler arasında PECVD ve LPCVD bulunur. Sıcaklık, basınç ve reaksiyon gazı tipini ayarlayarak CVD, farklı proses gereksinimlerini karşılamak için yüksek saflık, tekdüzelik ve iyi film kapsamı elde eder.
Bu makale temel olarak silisyum karbür seramiklerin geniş uygulama olanaklarını açıklamaktadır. Ayrıca silisyum karbür seramiklerdeki sinterleme çatlaklarının nedenlerinin ve ilgili çözümlerin analizine de odaklanmaktadır.
Yarı iletken imalatında aşındırma teknolojisinde sıklıkla yükleme etkisi, mikro oluk etkisi ve yükleme etkisi gibi ürün kalitesini etkileyen sorunlarla karşılaşılmaktadır. İyileştirme çözümleri arasında plazma yoğunluğunun optimize edilmesi, reaksiyon gazı bileşiminin ayarlanması, vakum sistemi verimliliğinin arttırılması, makul litografi düzeninin tasarlanması ve uygun aşındırma maskesi malzemelerinin ve proses koşullarının seçilmesi yer alır.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies.
Privacy Policy