Gözenekli Grafit

SiC substrate producers commonly use a crucible design with a porous graphite cylinder for the hot field process. This design increases the evaporation area and charge volume. A new process has been developed to address crystal defects, stabilize mass transfer, and enhance SiC crystal quality. It incorporates a seedless crystal tray fixation method for thermal expansion and stress relief. However, limited market supply of crucible graphite and porous graphite poses challenges to the quality and yield of SiC single crystals.

VeTek Yarı İletken Gözenekli Grafitin Temel Özellikleri:

1. Yüksek sıcaklık ortamı toleransı - Ürün, mükemmel ısı direnci gösteren 2500 santigrat derecelik ortama dayanabilir.

2.Sıkı gözeneklilik kontrolü - VeTek Semiconductor, sıkı gözeneklilik kontrolü sağlayarak tutarlı performans sağlar.

3.Ultra yüksek saflık - Kullanılan gözenekli grafit malzeme, sıkı saflaştırma işlemleriyle yüksek düzeyde saflığa ulaşır.

4.Mükemmel yüzey partikül bağlama kapasitesi - VeTek Semiconductor, mükemmel yüzey partikül bağlama kapasitesine ve toz yapışmasına karşı dirence sahiptir.

5.Gaz taşınması, difüzyon ve tekdüzelik - Grafitin gözenekli yapısı, verimli gaz taşınmasını ve difüzyonunu kolaylaştırır, bu da gazların ve parçacıkların daha iyi tekdüzeliğine yol açar.

6.Kalite kontrolü ve stabilite - VeTek Semiconductor, kristal büyümesinde kaliteyi sağlamak için yüksek saflığı, düşük safsızlık içeriğini ve kimyasal stabiliteyi vurgular.

7. Sıcaklık kontrolü ve tekdüzelik - Gözenekli grafitin termal iletkenliği, eşit sıcaklık dağılımı sağlayarak büyüme sırasındaki stresi ve kusurları azaltır.

8. Geliştirilmiş çözünen madde difüzyonu ve büyüme hızı - Gözenekli yapı eşit çözünen madde dağılımını teşvik ederek kristallerin büyüme hızını ve tekdüzeliğini artırır.