VeTek Semiconductor'ın benzersiz karbür kaplamaları, zorlu yarı iletken ve kompozit yarı iletken malzemelerin işlenmesi için SiC Epitaksi Prosesinde grafit parçalar için üstün koruma sağlar. Sonuç olarak, grafit bileşen ömrünün uzatılması, reaksiyon stokiyometrisinin korunması, safsızlıkların epitaksiye geçişinin engellenmesi ve kristal büyüme uygulamaları elde edilir ve sonuçta verim ve kalite artar.
Tantal karbür (TaC) kaplamalarımız, yüksek sıcaklıklardaki (2200°C'ye kadar) kritik fırın ve reaktör bileşenlerini sıcak amonyak, hidrojen, silikon buharları ve erimiş metallerden korur. VeTek Semiconductor, özelleştirilmiş gereksinimlerinizi karşılamak için geniş bir yelpazede grafit işleme ve ölçüm yeteneklerine sahiptir; bu nedenle, sizin ve özel uygulamanız için doğru çözümü tasarlamaya hazır uzman mühendislerden oluşan ekibimizle ücretli bir kaplama veya tam hizmet sunabiliriz. .
Bileşik yarı iletken kristaller
VeTek Semiconductor, çeşitli bileşenler ve taşıyıcılar için özel TaC kaplamalar sağlayabilir. VeTek Semiconductor'ın endüstri lideri kaplama işlemi sayesinde TaC kaplama, yüksek saflık, yüksek sıcaklık stabilitesi ve yüksek kimyasal direnç elde edebilir, böylece kristal TaC/GaN) ve EPI katmanlarının ürün kalitesini iyileştirebilir ve kritik reaktör bileşenlerinin ömrünü uzatabilir.
Isı izolatörleri
Potalar, tohum tutucular, deflektörler ve filtreler dahil SiC, GaN ve AlN kristal büyütme bileşenleri. Dirençli ısıtma elemanları, nozüller, koruma halkaları ve lehimleme armatürleri dahil endüstriyel montajlar, levha taşıyıcıları, uydu tepsileri, duş başlıkları, kapaklar ve kaideler dahil GaN ve SiC epitaksiyel CVD reaktör bileşenleri, MOCVD bileşenleri.
Amaç:
● LED (Işık Yayan Diyot) Wafer Taşıyıcı
● ALD(Yarı İletken) Alıcı
● EPI Reseptörü (SiC Epitaksi Süreci)
SiC Kaplama ve TaC Kaplamanın Karşılaştırılması:
|
|
SiC
|
TaC
|
|
Ana Özellikler
|
Ultra yüksek saflık, Mükemmel Plazma direnci
|
Mükemmel yüksek sıcaklık stabilitesi (yüksek sıcaklık proses uyumu)
|
|
Saflık
|
>%99,9999
|
>%99,9999
|
|
Yoğunluk (g/cm3)
|
3.21
|
15
|
|
Sertlik (kg/mm2)
|
2900-3300
|
6.7-7.2
|
|
Direnç [Ωcm]
|
0,1-15.000
|
<1
|
|
Isı iletkenliği (W/m-K)
|
200-360
|
22
|
|
Termal genleşme katsayısı(10-6/°C)
|
4.5-5
|
6.3
|
|
Başvuru
|
Yarı İletken Ekipman Seramik aparatı (Odak Halkası, Duş Başlığı, Sahte Gofret)
|
SiC Tek kristal büyütme, Epi, UV LED Ekipman parçaları
|
