Ürünler
SiC Kaplama Gofret Taşıyıcı
  • SiC Kaplama Gofret TaşıyıcıSiC Kaplama Gofret Taşıyıcı

SiC Kaplama Gofret Taşıyıcı

Profesyonel bir SiC kaplama levha taşıyıcı üreticisi ve tedarikçisi olarak Vetek Semiconductor'ın SiC kaplama levha taşıyıcıları esas olarak epitaksiyel katmanın büyüme homojenliğini geliştirmek, bunların yüksek sıcaklık ve aşındırıcı ortamlarda stabilitesini ve bütünlüğünü sağlamak için kullanılır.

Vetek Semiconductor, yüksek performanslı SiC kaplama levha taşıyıcılarının üretimi ve tedariğinde uzmanlaşmıştır ve yarı iletken endüstrisine ileri teknoloji ve ürün çözümleri sağlamaya kendini adamıştır.


Yarı iletken üretiminde Vetek Semiconductor'ın SiC kaplama levha taşıyıcısı, kimyasal buhar biriktirme (CVD) ekipmanlarında, özellikle de metal organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) ekipmanlarında önemli bir bileşendir. Ana görevi, tek kristal alt tabakayı desteklemek ve ısıtmaktır, böylece epitaksiyel katman eşit şekilde büyüyebilir. Bu, yüksek kaliteli yarı iletken cihazların üretimi için gereklidir.


SiC kaplamanın korozyon direnci çok iyidir ve grafit bazını aşındırıcı gazlardan etkili bir şekilde koruyabilir. Bu özellikle yüksek sıcaklık ve aşındırıcı ortamlarda önemlidir. Ek olarak, SiC malzemesinin termal iletkenliği de çok mükemmeldir; bu, ısıyı eşit şekilde iletebilir ve düzgün sıcaklık dağılımı sağlayabilir, böylece epitaksiyel malzemelerin büyüme kalitesini artırır.


SiC kaplama, yüksek sıcaklıkta ve aşındırıcı atmosferde kimyasal stabiliteyi koruyarak kaplama arızası problemini ortadan kaldırır. Daha da önemlisi, SiC'nin termal genleşme katsayısı, grafitinkine benzerdir; bu, termal genleşme ve büzülme nedeniyle kaplamanın dökülmesi sorununu önleyebilir ve kaplamanın uzun vadeli stabilitesini ve güvenilirliğini sağlayabilir.


Temel fiziksel özellikleriSiC Kaplama Gofret Taşıyıcı:


CVD SiC kaplamanın temel fiziksel özellikleri
Mülk
Tipik Değer
Kristal Yapısı
FCC β fazı çok kristalli, esas olarak (111) yönelimli
Yoğunluk
3,21 g/cm³
Sertlik
2500 Vickers sertliği (500g yük)
Tane Boyutu
2~10μm
Kimyasal Saflık
%99,99995
Isı Kapasitesi
640 J·kg-1·K-1
Süblimleşme Sıcaklığı
2700°C
Eğilme Dayanımı
415 MPa RT 4 noktalı
Young Modülü
430 Gpa 4pt viraj, 1300°C
Isı İletkenliği
300W·m-1·K-1
Termal Genleşme (CTE)
4,5×10-6K-1


Üretim Atölyesi:

VeTek Semiconductor Production Shop


Yarı iletken çip epitaksi endüstri zincirine genel bakış:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


Sıcak Etiketler: SiC Kaplamalı Gofret Taşıyıcı, Silisyum Karbür Gofret Taşıyıcı, Yarı İletken Gofret Desteği
Talep Gönder
İletişim bilgileri
Silisyum Karbür Kaplama, Tantal Karbür Kaplama, Özel Grafit veya fiyat listesi ile ilgili sorularınız için lütfen e-posta adresinizi bize bırakın, 24 saat içinde sizinle iletişime geçeceğiz.
X
Size daha iyi bir gezinme deneyimi sunmak, site trafiğini analiz etmek ve içeriği kişiselleştirmek için çerezleri kullanıyoruz. Bu siteyi kullanarak çerez kullanımımızı kabul etmiş olursunuz.Gizlilik Politikası
ReddetmekKabul etmek