Ürünler
Gan epitaksisi
  • Gan epitaksisiGan epitaksisi
  • Gan epitaksisiGan epitaksisi

Gan epitaksisi

Vetek Semiconductor, GAN epitaksi duyucusunun birinci sınıf bir üreticisi ve tedarikçisi olan Çinli bir şirkettir. Uzun zamandır silikon karbür kaplamalar ve GAN epitaksi suyunu gibi yarı iletken endüstrisinde çalışıyoruz. Size mükemmel ürünler ve olumlu fiyatlar sağlayabiliriz. Vetek Semiconductor uzun vadeli partneriniz olmayı dört gözle bekliyor.

Gan epitaksi, yüksek performanslı elektronik ve optoelektronik cihazlar üretmek için kullanılan gelişmiş bir yarı iletken üretim teknolojisidir. Farklı substrat malzemelerine göre,Gan epitaksiyal gofretlerGAN tabanlı GAN, SIC tabanlı GAN, safir tabanlı GAN veGan-on-Si.


MOCVD process to generate GaN epitaxy

       Gan epitaksisi üretmek için mocvd sürecinin basitleştirilmiş şeması


Gan epitaksisinin üretiminde, substrat sadece epitaksiyal birikme için bir yere yerleştirilemez, çünkü gaz akışı yönü, sıcaklık, basınç, fiksasyon ve düşen kirleticiler gibi çeşitli faktörleri içerir. Bu nedenle, bir tabana ihtiyaç vardır ve daha sonra diske substrat yerleştirilir ve daha sonra CVD teknolojisi kullanılarak substrat üzerinde epitaksiyal biriktirme gerçekleştirilir. Bu taban Gan epitaksi suyunudur.

GaN Epitaxy Susceptor


SIC ve GAN arasındaki kafes uyuşmazlığı küçüktür, çünkü SIC'nin termal iletkenliği Gan, Si ve Safir'den çok daha yüksektir. Bu nedenle, substrat GaN epitaksiyal gofretine bakılmaksızın, SIC kaplamalı gan epitaksi duyucu, cihazın termal özelliklerini önemli ölçüde iyileştirebilir ve cihazın bağlantı sıcaklığını azaltabilir.


Lattice mismatch and thermal mismatch relationships

Malzemelerin kafes uyumsuzluğu ve termal uyuşmazlık ilişkileri


Bot Semiconductor tarafından üretilen Gan Epitaksi Suyucusu aşağıdaki özelliklere sahiptir.:


Malzeme: Sensör, yüksek saflıkta grafit ve bir SIC kaplamasından yapılmıştır, bu da yüksek sıcaklıklara dayanmasını ve epitaksiyal üretim sırasında mükemmel stabilite sağlamasını sağlar.

Termal iletkenlik: İyi termal performans, hassas sıcaklık kontrolünü sağlar ve GaN epitaksi duyucusunun iyi termal iletkenliği, Gan epitaksisinin eşit birikmesini sağlar.

Kimyasal stabilite: SIC kaplaması kontaminasyon ve korozyonu önler, bu nedenle Gan epitaksi suyunu MOCVD sisteminin sert kimyasal ortamına dayanabilir ve GAN epitaksisinin normal üretimini sağlayabilir.

Tasarım: Yapısal tasarım, varil şeklindeki veya gözleme şeklindeki duyucular gibi müşteri ihtiyaçlarına göre gerçekleştirilir. Daha iyi gofret verimi ve tabaka homojenliği sağlamak için farklı epitaksiyal büyüme teknolojileri için farklı yapılar optimize edilmiştir.


Needr ne olursa olsun, Vetek Semiconductor size en iyi ürünleri ve çözümleri sağlayabilir. İstediğiniz zaman danışmanızı dört gözle bekliyorum.


Temel fiziksel özellikleriCVD SIC kaplama:

CVD SIC kaplamanın temel fiziksel özellikleri
Mülk
Tipik değer
Kristal yapısı
FCC β pHASE polikristalin, esas olarak (111) yönelimli
Yoğunluk
3.21 g/cm³
Sertlik
2500 Vickers sertliği (500g yük)
Tahıl size
2 ~ 10mm
Kimyasal saflık
% 99.99995
Isı kapasitesi
640 j · kg-1· K-1
Süblimasyon sıcaklığı
2700 ℃
Bükülme mukavemeti
415 MPA RT 4 noktalı
Young Modulus
430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Termal iletkenlik
300W · m-1· K-1
Termal Genişleme (CTE)
4.5 × 10-6K-1


Bot yarı iletkenGan epitaks sensör dükkanları:

gan epitaxy susceptor shops

Sıcak Etiketler: Gan epitaksisi
Talep Gönder
İletişim bilgileri
Silisyum Karbür Kaplama, Tantal Karbür Kaplama, Özel Grafit veya fiyat listesi ile ilgili sorularınız için lütfen e-posta adresinizi bize bırakın, 24 saat içinde sizinle iletişime geçeceğiz.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept