Haberler

Bu makale esas olarak GAN bazlı malzemelerin kristal yapısı, 3. epitaksiyal teknoloji gereksinimleri ve uygulama çözümleri, PVD prensiplerine dayalı düşük sıcaklık epitaksiyal teknolojinin avantajları ve düşük sıcaklık epitaksiyal teknolojisinin gelişim beklentileri dahil olmak üzere GAN tabanlı düşük sıcaklık epitaksiyal teknolojisini tanımlamaktadır.

Bu makale ilk olarak TAC'nin moleküler yapısını ve fiziksel özelliklerini tanıtır ve sinterlenmiş tantal karbür ve CVD tantal karbürün farklılıklarına ve uygulamalarına ve Vetek Semiconductor'ın popüler TAC kaplama ürünlerine odaklanmaktadır.

Bu makale, CVD TAC kaplamanın ürün özelliklerini, CVD yöntemini kullanarak CVD TAC kaplamasının hazırlanması işlemini ve hazırlanan CVD TAC kaplamasının yüzey morfolojisi tespiti için temel yöntemi tanıtmaktadır.

Bu makale, TAC kaplamanın ürün özelliklerini, CVD teknolojisini kullanarak TAC kaplama ürünlerinin hazırlanmasının spesifik işlemini tanıtmaktadır, Veteksemicon'un en popüler TAC kaplamasını tanıtmakta ve Veteksemicon'u seçmenin nedenlerini kısaca analiz etmektedir.

Bu makale, SIC kaplamasının SIC epitaksiyal büyümesi için temel bir temel malzemenin nedenini analiz etmekte ve yarı iletken endüstrisinde SIC kaplamanın belirli avantajlarına odaklanmaktadır.

Silikon karbür nanomalzemeleri (sic), nanometre ölçeğinde (1-100nm) en az bir boyutu olan malzemelerdir. Bu malzemeler sıfır, bir, iki veya üç boyutlu olabilir ve çeşitli uygulamalara sahip olabilir.