Haberler

Makale, tek kristal bir fırında sıcaklık gradyanını açıklamaktadır. Kristal büyümesi sırasında statik ve dinamik ısı alanlarını, katı-sıvı arayüzünü ve sıcaklık gradyanının katılaşmadaki rolünü kapsar.

Taiko süreci silikon gofretleri ilkelerini, teknik avantajlarını ve süreç kökenlerini kullanarak inceliyor.

8 inç SIC epitaksiyal fırını ve homoepitaksiyal süreç araştırması

Makale silikon, GaAs, SiC ve GaN gibi yarı iletken substrat levhalarının malzeme özelliklerini analiz ediyor

Bu makale esas olarak GAN bazlı malzemelerin kristal yapısı, 3. epitaksiyal teknoloji gereksinimleri ve uygulama çözümleri, PVD prensiplerine dayalı düşük sıcaklık epitaksiyal teknolojinin avantajları ve düşük sıcaklık epitaksiyal teknolojisinin gelişim beklentileri dahil olmak üzere GAN tabanlı düşük sıcaklık epitaksiyal teknolojisini tanımlamaktadır.

Bu makale ilk olarak TAC'nin moleküler yapısını ve fiziksel özelliklerini tanıtır ve sinterlenmiş tantal karbür ve CVD tantal karbürün farklılıklarına ve uygulamalarına ve Vetek Semiconductor'ın popüler TAC kaplama ürünlerine odaklanmaktadır.