Haberler

Silikon karbür (sic), yüksek sıcaklık direnci, korozyon direnci ve yüksek mekanik mukavemet gibi mükemmel özellikleri ile bilinen yüksek hassasiyetli bir yarı iletken malzemedir. 200'den fazla kristal yapıya sahiptir, 3C-SIC tek kübik tiptir, diğer tiplere kıyasla üstün doğal küresellik ve yoğunlaşma sunar. 3C-SIC, yüksek elektron hareketliliği için öne çıkıyor, bu da güç elektroniğinde mosfetler için idealdir. Ek olarak, nanoelektronik, mavi LED'ler ve sensörlerde büyük bir potansiyel gösterir.

Potansiyel dördüncü nesil "nihai yarı iletken" olan elmas, olağanüstü sertliği, termal iletkenlik ve elektriksel özellikleri nedeniyle yarı iletken substratlarda dikkat çekiyor. Yüksek maliyet ve üretim zorlukları kullanımını sınırlarken, CVD tercih edilen yöntemdir. Doping ve büyük alan kristal zorluklarına rağmen, Diamond umut vaat ediyor.

SIC ve GAN, daha yüksek arıza voltajları, daha hızlı anahtarlama hızları ve üstün verimlilik gibi silikon üzerinde avantajları olan geniş bant aralığı yarı iletkenleridir. SIC, daha yüksek termal iletkenliği nedeniyle yüksek voltajlı, yüksek güçlü uygulamalar için daha iyidir, GAN üstün elektron hareketliliği sayesinde yüksek frekanslı uygulamalarda mükemmeldir.

Elektron ışınıyla buharlaştırma, buharlaşan malzemeyi bir elektron ışınıyla ısıtarak buharlaşmasına ve ince bir film halinde yoğunlaşmasına neden olan dirençli ısıtmayla karşılaştırıldığında oldukça verimli ve yaygın olarak kullanılan bir kaplama yöntemidir.