Haberler

Silikon karbür (sic) kristal büyüme fırınları, yeni nesil yarı iletken cihazlar için yüksek performanslı SIC gofret üretmede hayati bir rol oynar. Bununla birlikte, yüksek kaliteli SIC kristallerinin büyümesi süreci önemli zorluklar sunmaktadır. Aşırı termal gradyanları yönetmekten kristal kusurlarını azaltmaya, düzgün büyümenin sağlanmasına ve üretim maliyetlerini kontrol etmeye kadar, her adım ileri mühendislik çözümleri gerektirir. Bu makale, SIC kristal büyüme fırınlarının teknik zorluklarını birden fazla perspektiften analiz edecektir.

Akıllı kesim, özellikle ultra ince ve yüksek derecede düzgün 3C-sic (kübik silikon karbür) gofret üretimi için tasarlanmış, iyon implantasyonu ve gofret sıyırma işlemine dayanan gelişmiş bir yarı iletken üretim işlemidir. Ultra ince kristal malzemeleri bir substrattan diğerine aktarabilir, böylece orijinal fiziksel sınırlamaları kırabilir ve tüm substrat endüstrisini değiştirebilir.

Yüksek kaliteli ve yüksek verimli silikon karbür substratlarının hazırlanmasında çekirdek, iyi termal alan malzemeleri ile üretim sıcaklığının hassas kontrolünü gerektirir. Şu anda, esas olarak kullanılan termal alan pota kitleri, işlevleri erimiş karbon tozunu ve silikon tozunu ısıtmak ve ısıyı korumak olan yüksek saflıkta grafit yapısal bileşenlerdir.

Üçüncü nesil yarı iletkenleri gördüğünüzde, birinci ve ikinci nesillerin ne olduğunu kesinlikle merak edeceksiniz. Burada "nesil", yarı iletken üretiminde kullanılan malzemelere göre sınıflandırılmıştır.

Elektrostatik chuck (ESC, E-chuck) olarak da bilinen elektrostatik chuck (ESC), adsorbe edilen malzemeyi tutmak ve düzeltmek için elektrostatik adsorpsiyon prensibini kullanan bir fikstürdür. Vakum ve plazma ortamları için uygundur.

SIC gofret taşıyıcıları, üçüncü nesil yarı iletken endüstri zincirinde temel sarf malzemeleri olarak, teknik özellikleri epitaksiyal büyüme ve cihaz üretiminin verimini doğrudan etkiler. 5G baz istasyonları ve yeni enerji araçları gibi sektörlerde yüksek voltaj ve yüksek sıcaklık cihazlara olan artan talep ile SIC gofret taşıyıcılarının araştırılması ve uygulaması artık önemli gelişme fırsatlarıyla karşı karşıyadır.