MOCVD için SIC kaplı grafit suyunu

VeTek Semiconductor'ın MOCVD için SiC Kaplamalı Grafit Askılayıcısı, özellikle levha yongaları üzerinde epitaksiyel katman büyümesi için tasarlanmış, yüksek saflıkta SiC kaplı bir grafit taşıyıcıdır. MOCVD işlemede merkezi bir bileşen olarak, tipik olarak dişli veya halka şeklinde şekillendirilmiş olup, olağanüstü ısı direnci ve korozyon direncine sahiptir ve zorlu ortamlarda stabilite sağlar.

Mocvd SiC Kaplamalı Grafit Süseptörünün Temel Özellikleri:

● Flake dayanıklı kaplama: Tüm yüzeylerde eşit SiC kaplama kaplaması sağlayarak partikül ayrılması riskini azaltır

●   Yüksek Sıcaklıkta Oksidasyona Mükemmel Dirençce: 1600 ° C'ye kadar olan sıcaklıklarda sabit kalır

● Yüksek saflık: Yüksek sıcaklıklı klorlama koşulları için uygun olan CVD kimyasal buhar birikimi yoluyla üretilmiştir

● Üstün korozyon direnci: Asitlere, alkalilere, tuzlara ve organik reaktiflere karşı oldukça dirençli

● Optimize edilmiş laminer hava akışı modeli: Hava akışı dinamiklerinin tekdüzeliğini arttırır

●   Düzgün Termal Dağıtım: Yüksek sıcaklık işlemleri sırasında kararlı ısı dağılımı sağlar

●   Kontaminasyonun Önlenmesi: Kirletici maddelerin veya safsızlıkların yayılmasını önleyerek levha temizliğini sağlar

Vetek Semiconductor'da, müşterilerimize güvenilir ürün ve hizmetler sunarak katı kalite standartlarına uyuyoruz. Sektör performans gereksinimlerini karşılamaya ve aşmaya çalışarak sadece premium malzemeler seçiyoruz. MOCVD için SIC kaplı grafit suyumuz bu kaliteye olan taahhüdünü örneklendirir. Yarı iletken gofret işleme ihtiyaçlarınızı nasıl destekleyebileceğimiz hakkında daha fazla bilgi edinmek için bizimle iletişime geçin.

CVD SIC FİLM KRİSTAL YAPISI:

CVD SIC kaplamanın temel fiziksel özellikleri:

Yarıiletken Mocvd Böylece kaplanmış grafit desteği;