Web Menüsü

Ürün Arama

Dil

Ürünler
G5 için gan epitaksiyal grafit desteği
  • G5 için gan epitaksiyal grafit desteğiG5 için gan epitaksiyal grafit desteği
  • G5 için gan epitaksiyal grafit desteğiG5 için gan epitaksiyal grafit desteği

G5 için gan epitaksiyal grafit desteği

Vetek Semiconductor, G5 için yüksek kaliteli GAN epitaksiyal grafit suyunu sağlamaya adanmış profesyonel bir üretici ve tedarikçidir. Yurtdışında ve yurtdışında çok sayıda tanınmış şirketle uzun vadeli ve istikrarlı ortaklıklar kurduk, müşterilerimize güven ve saygıyı kazandık.
Talep Gönder 
Ürün Açıklaması

Vetek Semiconductor, G5 üreticisi ve tedarikçisi için profesyonel bir Çin Gan epitaksiyal grafit suyunudur. G5 için Gan epitaksiyal grafit suyeni, yüksek kaliteli galyum nitrür (GAN) ince filmlerin büyümesi için Aixtron G5 metal-organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) sisteminde kullanılan kritik bir bileşendir, tek tip sıcaklık sağlamada önemli bir rol oynar Büyüme sürecinde dağılım, verimli ısı transferi ve minimal kontaminasyon.


G5 için Vetek Semiconductor Gan epitaksiyal grafit suyunun temel özellikleri:

-Yüksek saflık: Süseptör, CVD kaplamalı yüksek derecede saf grafitten yapılmıştır ve büyüyen GaN filmlerinin kirlenmesini en aza indirir.

-Kişli Termal İletkenlik: Grafitin Yüksek Termal İletkenliği (150-300 W/(M · K)), suyör boyunca tek tip sıcaklık dağılımı sağlar ve bu da tutarlı Gan film büyümesine yol açar.

-Düşük termal genleşme: Süseptör'ün düşük termal genleşme katsayısı, yüksek sıcaklıkta büyüme süreci sırasında termal stresi ve çatlamayı en aza indirir.

-Kimyasal inertlik: Grafit kimyasal olarak inerttir ve GAN öncüleri ile reaksiyona girmez, bu da yetişkin filmlerde istenmeyen safsızlıkları önler.

-AIXTRON G5 ile uyumlu: Suyu, AIXTRON G5 MOCVD sisteminde kullanılmak üzere özel olarak tasarlanmıştır ve uygun uyum ve işlevsellik sağlar.


Uygulamalar:

Yüksek parlaklık LED'leri: GAN tabanlı LED'ler yüksek verimlilik ve uzun ömür sağlar, bu da onları genel aydınlatma, otomotiv aydınlatma ve ekran uygulamaları için ideal hale getirir.

Yüksek güçlü transistörler: GaN transistörleri güç yoğunluğu, verimlilik ve anahtarlama hızı açısından üstün performans sunarak onları güç elektroniği uygulamaları için uygun hale getirir.

Lazer Diyotları: GAN tabanlı lazer diyotlar yüksek verimlilik ve kısa dalga boyları sunar, bu da onları optik depolama ve iletişim uygulamaları için ideal hale getirir.


G5 için GaN Epitaksiyel Grafit Süseptörünün ürün parametresi

İzostatik grafitin fiziksel özellikleri
Mülk Birim Tipik değer
Yığın Yoğunluğu g/cm³ 1.83
Sertlik HSD 58
Elektriksel Direnç μω.m 10
Bükülme mukavemeti MPa 47
Basınç Dayanımı MPa 103
Çekme Dayanımı MPa 31
Young Modülü not ortalaması 11.8
Termal Genişleme (CTE) 10-6K-1 4.6
Isı İletkenliği W · M-1· K-1 130
Ortalama Tane Boyutu μm 8-10
Gözeneklilik % 10
Kül İçeriği ppm ≤10 (saflaştırıldıktan sonra)

Not: Kaplamadan önce, ilk saflaştırmayı, kaplamadan sonra ikinci saflaştırma yapacağız.


CVD SIC kaplamanın temel fiziksel özellikleri
Mülk Tipik değer
Kristal Yapısı FCC β faz polikristalin, esas olarak (111) yönelimli
Yoğunluk 3,21 g/cm³
Sertlik 2500 Vickers sertliği (500g yük)
Tane Boyutu 2 ~ 10mm
Kimyasal Saflık % 99.99995
Isı kapasitesi 640 j · kg-1· K-1
Süblimasyon sıcaklığı 2700°C
Bükülme mukavemeti 415 MPa RT 4 noktalı
Young Modülü 430 Gpa 4nokta viraj, 1300°C
Isı İletkenliği 300W · m-1· K-1
Termal Genişleme (CTE) 4.5 × 10-6K-1


VeTek Yarı İletken Üretim Mağazası:

VeTek Semiconductor Production Shop


Sıcak Etiketler: G5 için GaN Epitaksiyel Grafit Reseptör
İlgili Kategori
Talep Gönder
İletişim bilgileri
Silisyum Karbür Kaplama, Tantal Karbür Kaplama, Özel Grafit veya fiyat listesi ile ilgili sorularınız için lütfen e-posta adresinizi bize bırakın, 24 saat içinde sizinle iletişime geçeceğiz.
ilgili ürünler
LPE reaktörü için 8 inç yarımmoon kısmı
LPE reaktörü için 8 inç yarımmoon kısmı Daha fazla göster >>
AIXTRON G5 MOCVD SENECERS
AIXTRON G5 MOCVD SENECERS Daha fazla göster >>
Gofret kaldırma pimi
Gofret kaldırma pimi Daha fazla göster >>
Ön Isıtma Halkası
Ön Isıtma Halkası Daha fazla göster >>
SiC Kaplama Giriş Halkası
SiC Kaplama Giriş Halkası Daha fazla göster >>
Sic kaplı kaide
Sic kaplı kaide Daha fazla göster >>
Haber Önerileri
CVD TAC kaplama nasıl hazırlanır? - Veteksemicon
CVD TAC kaplama nasıl hazırlanır? - VeteksemiconDaha fazla göster >>
SIC kaplaması neden SIC epitaksiyal büyümesi için temel çekirdek malzeme?
SIC kaplaması neden SIC epitaksiyal büyümesi için temel çekirdek malzeme?Daha fazla göster >>
TAC kaplama nedir? - Vetek Yarıiletken
TAC kaplama nedir? - Vetek YarıiletkenDaha fazla göster >>
8 inçlik silikon karbür tek kristal büyüme fırını teknolojisine dayanmaktadır
8 inçlik silikon karbür tek kristal büyüme fırını teknolojisine dayanmaktadırDaha fazla göster >>
İtalya'nın LPE'sinin 200mm SiC epitaksiyel teknolojisindeki ilerleme
İtalya'nın LPE'sinin 200mm SiC epitaksiyel teknolojisindeki ilerlemeDaha fazla göster >>
Çip üretim sürecinin tam bir açıklaması (2/2): gofretten ambalaja ve teste kadar
Çip üretim sürecinin tam bir açıklaması (2/2): gofretten ambalaja ve teste kadarDaha fazla göster >>
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept