Vetek Semiconductor, G5 için yüksek kaliteli GAN epitaksiyal grafit suyunu sağlamaya adanmış profesyonel bir üretici ve tedarikçidir. Yurtdışında ve yurtdışında çok sayıda tanınmış şirketle uzun vadeli ve istikrarlı ortaklıklar kurduk, müşterilerimize güven ve saygıyı kazandık.
Vetek Semiconductor, G5 üreticisi ve tedarikçisi için profesyonel bir Çin Gan epitaksiyal grafit suyunudur. G5 için Gan epitaksiyal grafit suyeni, yüksek kaliteli galyum nitrür (GAN) ince filmlerin büyümesi için Aixtron G5 metal-organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) sisteminde kullanılan kritik bir bileşendir, tek tip sıcaklık sağlamada önemli bir rol oynar Büyüme sürecinde dağılım, verimli ısı transferi ve minimal kontaminasyon.
G5 için Vetek Semiconductor Gan epitaksiyal grafit suyunun temel özellikleri:
-Yüksek saflık: Süseptör, CVD kaplamalı yüksek derecede saf grafitten yapılmıştır ve büyüyen GaN filmlerinin kirlenmesini en aza indirir.
-Kişli Termal İletkenlik: Grafitin Yüksek Termal İletkenliği (150-300 W/(M · K)), suyör boyunca tek tip sıcaklık dağılımı sağlar ve bu da tutarlı Gan film büyümesine yol açar.
-Düşük termal genleşme: Süseptör'ün düşük termal genleşme katsayısı, yüksek sıcaklıkta büyüme süreci sırasında termal stresi ve çatlamayı en aza indirir.
-Kimyasal inertlik: Grafit kimyasal olarak inerttir ve GAN öncüleri ile reaksiyona girmez, bu da yetişkin filmlerde istenmeyen safsızlıkları önler.
-AIXTRON G5 ile uyumlu: Suyu, AIXTRON G5 MOCVD sisteminde kullanılmak üzere özel olarak tasarlanmıştır ve uygun uyum ve işlevsellik sağlar.
Uygulamalar:
Yüksek parlaklık LED'leri: GAN tabanlı LED'ler yüksek verimlilik ve uzun ömür sağlar, bu da onları genel aydınlatma, otomotiv aydınlatma ve ekran uygulamaları için ideal hale getirir.
Yüksek güçlü transistörler: GaN transistörleri güç yoğunluğu, verimlilik ve anahtarlama hızı açısından üstün performans sunarak onları güç elektroniği uygulamaları için uygun hale getirir.
Lazer Diyotları: GAN tabanlı lazer diyotlar yüksek verimlilik ve kısa dalga boyları sunar, bu da onları optik depolama ve iletişim uygulamaları için ideal hale getirir.
G5 için GaN Epitaksiyel Grafit Süseptörünün ürün parametresi
İzostatik grafitin fiziksel özellikleri
Mülk
Birim
Tipik değer
Yığın Yoğunluğu
g/cm³
1.83
Sertlik
HSD
58
Elektriksel Direnç
μω.m
10
Bükülme mukavemeti
MPa
47
Basınç Dayanımı
MPa
103
Çekme Dayanımı
MPa
31
Young Modülü
not ortalaması
11.8
Termal Genişleme (CTE)
10-6K-1
4.6
Isı İletkenliği
W · M-1· K-1
130
Ortalama Tane Boyutu
μm
8-10
Gözeneklilik
%
10
Kül İçeriği
ppm
≤10 (saflaştırıldıktan sonra)
Not: Kaplamadan önce, ilk saflaştırmayı, kaplamadan sonra ikinci saflaştırma yapacağız.
CVD SIC kaplamanın temel fiziksel özellikleri
Mülk
Tipik değer
Kristal Yapısı
FCC β faz polikristalin, esas olarak (111) yönelimli
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Size daha iyi bir gezinme deneyimi sunmak, site trafiğini analiz etmek ve içeriği kişiselleştirmek için çerezleri kullanıyoruz. Bu siteyi kullanarak çerez kullanımımızı kabul etmiş olursunuz. Gizlilik Politikası