Yatay sic gofret taşıyıcı

Semiconductor'ınYatay SiC Gofret Taşıyıcı/Tekne son derece yüksek bir erime noktasına (yaklaşık 2700°C) sahiptir, bu daYatay SiC Gofret Taşıyıcı/Teknenin yüksek sıcaklıktaki ortamlarda deformasyon veya bozulma olmadan stabil çalışması. Bu özellik özellikle yarı iletken üretim prosesinde, özellikle yüksek sıcaklıkta tavlama veya kimyasal buhar biriktirme (CVD) gibi proseslerde önemlidir.

.Yatay SiC Gofret Taşıyıcı/Tekne özellikle gofret taşıyıcıları taşıma sürecinde aşağıdaki rolleri oynar:

Silikon levha taşıma ve destek: Yatay SiC Gofret Teknesi esas olarak yarı iletken üretimi sırasında silikon levhaları taşımak ve desteklemek için kullanılır. Tüm işlem süreci boyunca iyi konumda ve stabilitede kalmalarını sağlamak için birden fazla silikon levhayı sıkı bir şekilde bir araya getirebilir.

Düzgün ısıtma ve soğutma: SiC'nin yüksek ısı iletkenliği nedeniyle, Gofret Teknesi, ısıyı tüm silikon levhalara etkili bir şekilde eşit şekilde dağıtabilir. Bu, yüksek sıcaklıkta işleme sırasında silikon levhaların eşit şekilde ısıtılmasını veya soğutulmasını sağlamaya yardımcı olarak işleme sürecinin tutarlılığını ve güvenilirliğini sağlar.

Kirlenmeyi önleyin: SIC'nin kimyasal stabilitesi, yüksek sıcaklık ve aşındırıcı gaz ortamlarında iyi performans göstermesini sağlar, böylece silikon gofretlerin olası kirleticilere veya reaktanlara maruz kalmasını azaltarak silikon gofretlerin saflığını ve kalitesini sağlar.

Aslında Yatay SiC Gofret Teknesi benzersiz ürün özellikleri nedeniyle yukarıdaki rolü oynayabilir:

Mükemmel kimyasal istikrar: SiC malzemesi çeşitli kimyasal ortamlara karşı mükemmel korozyon direncine sahiptir. Aşındırıcı gazların veya sıvıların işlenmesi sürecinde SiC Gofret Teknesi, kimyasal korozyona etkili bir şekilde direnebilir ve silikon levhaları kirlenmeye veya hasara karşı koruyabilir.

Yüksek termal iletkenlik: SiC'nin yüksek ısı iletkenliği, taşıyıcı proseste ısının eşit şekilde dağıtılmasına ve ısı birikiminin azaltılmasına yardımcı olur. Bu, hassas işleme sırasında sıcaklık kontrolünün doğruluğunu artırabilir ve silikon levhaların eşit şekilde ısıtılmasını veya soğutulmasını sağlayabilir.

Düşük termal genleşme katsayısı: SiC malzemenin düşük ısıl genleşme katsayısı, sıcaklık değişimleri sırasında SiC Gofret Teknenin boyut değişiminin çok küçük olduğu anlamına gelir. Bu, yüksek sıcaklıkta işleme sırasında boyutsal stabilitenin korunmasına yardımcı olur ve termal genleşmenin neden olduğu silikon levhaların deformasyonunu veya konumsal yer değiştirmesini önler.

Yatay sic gofret taşıyıcısının temel fiziksel özellikleri:

Yarıiletken Üretim Mağazasını Karşılaştırın:

Yarıiletken çip epitaksi endüstri zincirine genel bakış: