Haberler

Vakum kaplama, film malzemesi buharlaşması, vakum taşımacılığı ve ince film büyümesini içerir. Farklı film malzemesi buharlaşma yöntemlerine ve taşıma süreçlerine göre, vakum kaplama iki kategoriye ayrılabilir: PVD ve CVD.

Bu makale, VeTek Semiconductor'ın Gözenekli Grafitinin fiziksel parametreleri ve ürün özelliklerinin yanı sıra yarı iletken işlemedeki özel uygulamalarını açıklamaktadır.

Bu makale, tantal karbür kaplama ve silikon karbür kaplamanın ürün özelliklerini ve uygulama senaryolarını birden fazla perspektiften analiz etmektedir.

İnce film birikimi, çip üretiminde hayati önem taşır ve CVD, ALD veya PVD üzerinden 1 mikron kalınlığındaki filmleri yatırarak mikro cihazlar oluşturur. Bu işlemler, alternatif iletken ve yalıtım filmleri yoluyla yarı iletken bileşenler oluşturur.

Yarı iletken üretim süreci sekiz adım içerir: gofret işleme, oksidasyon, litografi, aşındırma, ince film birikimi, ara bağlantı, test ve ambalaj. Kumdan gelen silikon gofretler halinde işlenir, oksitlenmiş, desenli ve yüksek hassasiyetli devreler için kazınmıştır.

Bu makale, LED substratın safirin en büyük uygulaması olduğunu ve Sapphire kristallerini hazırlamanın ana yöntemleri olduğunu açıklamaktadır: czochralalski yöntemi ile safir kristalleri büyütmek, Kyropoulos yöntemi ile safir kristalleri büyütmek, güdümlü kalıp yöntemi ile safir kristalleri büyütmek ve ısı alışverişi yöntemi ile büyüyen safir kristalleri yetiştirmektedir.

Makale, tek kristal bir fırında sıcaklık gradyanını açıklamaktadır. Kristal büyümesi sırasında statik ve dinamik ısı alanlarını, katı-sıvı arayüzünü ve sıcaklık gradyanının katılaşmadaki rolünü kapsar.

Taiko süreci silikon gofretleri ilkelerini, teknik avantajlarını ve süreç kökenlerini kullanarak inceliyor.

8 inç SIC epitaksiyal fırını ve homoepitaksiyal süreç araştırması

Makale silikon, GaAs, SiC ve GaN gibi yarı iletken substrat levhalarının malzeme özelliklerini analiz ediyor

Bu makale esas olarak GAN bazlı malzemelerin kristal yapısı, 3. epitaksiyal teknoloji gereksinimleri ve uygulama çözümleri, PVD prensiplerine dayalı düşük sıcaklık epitaksiyal teknolojinin avantajları ve düşük sıcaklık epitaksiyal teknolojisinin gelişim beklentileri dahil olmak üzere GAN tabanlı düşük sıcaklık epitaksiyal teknolojisini tanımlamaktadır.

Bu makale ilk olarak TAC'nin moleküler yapısını ve fiziksel özelliklerini tanıtır ve sinterlenmiş tantal karbür ve CVD tantal karbürün farklılıklarına ve uygulamalarına ve Vetek Semiconductor'ın popüler TAC kaplama ürünlerine odaklanmaktadır.

Bu makale, CVD TAC kaplamanın ürün özelliklerini, CVD yöntemini kullanarak CVD TAC kaplamasının hazırlanması işlemini ve hazırlanan CVD TAC kaplamasının yüzey morfolojisi tespiti için temel yöntemi tanıtmaktadır.

Bu makale, CVD teknolojisi kullanılarak TaC kaplama ürünlerinin hazırlanmasına yönelik özel bir süreç olan TaC kaplamanın ürün özelliklerini tanıtmakta, Veteksemicon'un en popüler TaC kaplamasını tanıtmakta ve Veteksemicon'u seçme nedenlerini kısaca analiz etmektedir.

Bu makale, SIC kaplamasının SIC epitaksiyal büyümesi için temel bir temel malzemenin nedenini analiz etmekte ve yarı iletken endüstrisinde SIC kaplamanın belirli avantajlarına odaklanmaktadır.

Silikon karbür nanomalzemeleri (sic), nanometre ölçeğinde (1-100nm) en az bir boyutu olan malzemelerdir. Bu malzemeler sıfır, bir, iki veya üç boyutlu olabilir ve çeşitli uygulamalara sahip olabilir.