Vetek Semiconductor, Çin'de önde gelen tantal karbür kaplı kapak üreticisi ve yenilikçisidir. Yıllarca TAC ve SIC kaplamasında uzmanlaştık. Ürünlerimiz korozyon direnci, yüksek mukavemet var. Çin'de uzun vadeli partneriniz olmayı dört gözle bekliyoruz.
Vetek Semiconductor'da Çin'den çok çeşitli tantal karbür kaplı kapak bulun. Profesyonel satış sonrası hizmet ve doğru fiyat sağlayın, işbirliğini dört gözle bekleyin. Vetek Semiconductor tarafından geliştirilen tantal karbür kaplı kapak, Aixtron G10 MOCVD sistemi için özel olarak tasarlanmış, verimliliği optimize etmeyi ve yarı iletken üretim kalitesini artırmayı amaçlayan bir aksesuardır. Yüksek kaliteli malzemeler kullanılarak titizlikle hazırlanmıştır ve metal-organik kimyasal buhar birikimi (MOCVD) süreçleri için olağanüstü performans ve güvenilirlik sağlayarak azami hassasiyetle üretilmiştir.
Kimyasal buhar birikimi (CVD) tantal karbür (TAC) ile kaplanmış bir grafit substrat ile inşa edilen tantal karbür kaplı kapak, olağanüstü termal stabilite, yüksek saflık ve yüksek sıcaklıklara karşı direnç sunar. Bu eşsiz malzeme kombinasyonu, MOCVD sisteminin zorlu operasyonel koşulları için güvenilir bir çözüm sağlar.
Tantal karbür kaplı kapak, çeşitli yarı iletken gofret boyutlarını karşılamak için özelleştirilebilir, bu da onu çeşitli üretim gereksinimleri için uygun hale getirir. Sağlam konstrüksiyonu, zorlu MOCVD ortamına dayanacak şekilde özel olarak tasarlanmıştır, bu da uzun süreli performansı sağlayarak ve gofret taşıyıcıları ve duyucularla ilişkili kesinti ve bakım maliyetlerini en aza indirir.
TAC kapağını Aixtron G10 MOCVD sistemine dahil ederek, yarı iletken üreticileri daha yüksek verimlilik ve üstün sonuçlar elde edebilir. Olağanüstü termal stabilite, farklı gofret boyutlarında uyumluluk ve gezegensel diskin güvenilir performansı, üretim verimliliğini optimize etmek ve MOCVD sürecinde olağanüstü sonuçlara ulaşmak için vazgeçilmez bir araç haline getirir.
Tantalum karbür kaplamalı kapağın ürün parametresi
TAC kaplamanın fiziksel özellikleri
Yoğunluk
14.3 (g/cm³)
Özel emisyon
0.3
Termal genleşme katsayısı
6.3 10-6/K
Sertlik (HK)
2000 HK
Rezistans
1 × 10-5Ohm*cm
Termal stabilite
<2500 ℃
Grafit Boyut Değişiklikleri
-10 ~ -20um
Kaplama kalınlığı
≥20um tipik değer (35um ± 10um)
Bileşenlerimizi kullandıktan sonra gofret performansı:
Bayi yarı iletken:
Yarıiletken çip epitaksi endüstri zincirine genel bakış:
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Size daha iyi bir gezinme deneyimi sunmak, site trafiğini analiz etmek ve içeriği kişiselleştirmek için çerezleri kullanıyoruz. Bu siteyi kullanarak çerez kullanımımızı kabul etmiş olursunuz. Gizlilik Politikası