4H Yarı Yalıtım Tipi SIC substratı

SIC gofret, yarı iletken işleme işleminde birden fazla önemli rol oynar. Yüksek direnci, yüksek termal iletkenliği, geniş bant aralığı ve diğer özellikleri ile birleştiğinde, özellikle mikrodalga ve RF uygulamalarında yüksek frekanslı, yüksek güç ve yüksek sıcaklık alanlarında yaygın olarak kullanılır. Yarıiletken üretim sürecinde vazgeçilmez bir bileşen ürünüdür.

Ana avantaj

1. Mükemmel elektriksel özellikler

Yüksek kritik arıza elektrik alanı (yaklaşık 3 mV/cm): Silikondan yaklaşık 10 kat daha yüksek, daha yüksek voltaj ve daha ince sürüklenme tabakası tasarımını destekleyebilir, yüksek voltajlı güç cihazlarına uygun, dirençli direncini önemli ölçüde azaltabilir.

Yarı yalıtımlı özellikler: Vanadyum doping veya içsel kusur telafisi yoluyla yüksek direnç (> 10^5 Ω · cm), yüksek frekanslı, düşük kayıp RF cihazları (HEMT'ler gibi) için uygun, parazitik kapasitans etkilerini azaltır.

2. Termal ve kimyasal stabilite

Yüksek termal iletkenlik (4.9W /cm · k): Mükemmel ısı dağılma performansı, yüksek sıcaklık çalışmasını destekleyin (teorik çalışma sıcaklığı 200 ℃ veya daha fazla ulaşabilir), sistem ısı dağılma gereksinimlerini azaltın.

Kimyasal inertlik: Çoğu asit ve alkaliye inert, sert ortam için uygun güçlü korozyon direnci.

3. Malzeme yapısı ve kristal kalitesi

4H Politifik Yapı: Altıgen yapı, diğer politifik yapılardan (örn. 6H-siC) daha üstün olan ve yüksek frekanslı cihazlar için uygun olan yaklaşık 1140 cm²/V · s) daha yüksek elektron hareketliliği (örn. Boylamsal elektron hareketliliği) sağlar.

Yüksek kaliteli epitaksiyal büyüme: düşük kusur yoğunluğu heterojen epitaksiyal filmler (ALN/SI kompozit substratlardaki epitaksiyal katmanlar gibi) CVD (kimyasal buhar birikimi) teknolojisi ile elde edilebilir ve cihaz güvenilirliğini artırabilir.

4. İşlem uyumluluğu

Silikon işlemi ile uyumlu: Sio₂ yalıtım tabakası, MOSFET gibi silikon bazlı proses cihazlarını entegre etmek kolay olan termal oksidasyon yoluyla oluşturulabilir.

Ohmik Kontak Optimizasyonu: Çok katmanlı metal (Ni/Ti/PT gibi) alaşım işleminin kullanılması, temas direncini (Ni/Si/Al yapı yapı direncini 1.3 × 10^-4 Ω · cm gibi düşük gibi azaltır, cihaz performansını iyileştirir.

5. Uygulama senaryoları

Güç elektroniği: Yüksek voltajlı Schottky diyotları (SBD), IGBT modülleri vb.

RF Cihazları: Algan/Gan Hemt cihazları gibi 5G iletişim tabanı istasyonları, radar ve diğer yüksek frekanslı senaryolar için uygundur.

Vetek Semiconductor, müşteri ihtiyaçlarını karşılamak için sürekli olarak daha yüksek kristal kalite ve işleme kalitesi takip ediyor.4 inçVe6 inçürünler mevcuttur ve8 inçÜrünler geliştirilmektedir. 

Yarı yalıtımlı SIC Substrat Temel Ürün Özellikleri:

Yarı yalıtımlı SIC Substrat Kristal Kalite Özellikleri:

4H Yarı Yalıtım Tipi SIC Substrat Algılama Yöntemi ve Terminolojisi: