Monokristalin silikon için pota

CZ (czochralski) yönteminde, bir monokristalin tohumu erimiş polikristalin silikon ile temas ederek tek bir kristal büyütülür. Tohum yavaşça döndürülürken yavaş yavaş yukarı doğru çekilir. Bu işlemde, önemli sayıda grafit parça kullanılır, bu da onu silikon yarı iletken üretiminde en yüksek miktarda grafit bileşeni kullanan yöntemdir.

Doğru resim, CZ yöntemine dayanan bir silikon tek kristal üretim fırınının şematik bir temsilini sağlar.

Vetek Semiconductor'ın monokristalin silikon için potası, yarı iletken kristallerin kesin oluşumu için çok önemli ve kontrollü bir ortam sağlar. Elektronik cihazlar için yüksek kaliteli malzemeler üretmek için hayati önem taşıyan czochralski işlemi ve şamandıra bölgesi yöntemleri gibi gelişmiş teknikler kullanarak büyüyen monokristalin silikon ingotlarında etkilidirler.

Olağanüstü termal stabilite, kimyasal korozyon direnci ve minimal termal genleşme için tasarlanan bu hacimler dayanıklılık ve sağlamlık sağlar. Yapısal bütünlük veya performanstan ödün vermeden sert kimyasal ortamlara dayanacak şekilde tasarlanmıştır, böylece potanın ömrünü uzatır ve uzun süreli kullanım üzerinde tutarlı performansı korur.

Monokristalin silikon için Vetek yarı iletken haçlarının benzersiz bileşimi, yüksek sıcaklık işlemenin aşırı koşullarına dayanmalarını sağlar. Bu, yarı iletken işleme için kritik olan olağanüstü termal stabilite ve saflığı garanti eder. Kompozisyon ayrıca, düzgün kristalleşmeyi teşvik ederek ve silikon eriyik içindeki termal gradyanları en aza indirerek etkili ısı transferini kolaylaştırır.

✔ Temel malzeme koruması:CVD SIC kaplamaepitaksiyal işlem sırasında koruyucu bir tabaka görevi görür, taban malzemesini dış ortamın neden olduğu erozyon ve hasardan etkili bir şekilde korur. Bu koruyucu önlem, ekipmanın servis ömrünü büyük ölçüde genişletir.

✔ Mükemmel termal iletkenlik: CVD SIC kaplamamız, ısıyı taban malzemesinden kaplama yüzeyine verimli bir şekilde aktararak olağanüstü termal iletkenliğe sahiptir. Bu, epitaksi sırasında termal yönetim verimliliğini arttırır ve ekipman için optimum çalışma sıcaklıklarını sağlar.

✔ Geliştirilmiş film kalitesi: CVD SIC kaplaması, film büyümesi için ideal bir temel oluşturan düz ve tek tip bir yüzey sağlar. Kafes uyumsuzluğundan kaynaklanan kusurları azaltır, epitaksiyal filmin kristalliğini ve kalitesini arttırır ve sonuçta performansını ve güvenilirliğini artırır.