Üç-Petal Grafit Pebze

Vetek Semiconductor'ın Monokristalin Silikon'un büyüme süreci için tasarlanan üç-petal grafit potası, CZ yöntemi ile, üç petal yapı grafit potası izostatik yüksek saflıkta grafit malzemeden yapılmıştır. Yenilikçi üç petal yapı yoluyla, geleneksel entegre pota, sökme zorluklarını, termal stres konsantrasyonunu ve diğer endüstri ağrı noktalarını etkili bir şekilde çözebilir ve fotovoltaik silikon gofretlerde, yarı iletken gofretlerde ve diğer üst düzey üretim alanlarında yaygın olarak kullanılır.

Çekirdek süreç vurgular

1. ultra hassas grafit işleme teknolojisi

Malzeme Saflığı: Kül içeriği ile izostatik preslenmiş grafit substrat kullanımı <5ppm gerekirse ve genellikle ＜ 10ppm, silikon erime işleminde sıfır kirliliği sağlamak için

Yapısal Güçlendirme: 2200'de grafitlendikten sonra, bükülme mukavemeti ≥45MPa'dır ve termal genleşme katsayısı ≤4.6 × 10⁻⁶/℃

Yüzey işlemi: 10-15μM pirolitik karbon kaplama, oksidasyon direncini iyileştirmek için CVD işlemi ile biriktirilir (kilo kaybı <1.5%/100H@1600℃).

2. Yenilikçi Üç Petal Yapı Tasarımı

Modüler Montaj: 120 ° Donanım Üç lob yapısı, kurulum ve sökme verimliliği% 300 arttı

Stres Serbest Bırakma Tasarımı: Bölünmüş yapı, termal genleşme stresini etkili bir şekilde dağıtıyor ve servis ömrünü 200'den fazla döngüye genişletiyor

Hassas Uyum: Valfler arasındaki boşluk <0.1 mm'dir ve yüksek sıcaklık seramik yapıştırıcısı silikon erime işleminde sıfır sızıntı sağlar

3. Özelleştirilmiş İşleme Hizmetleri

Destek φ16 "-φ40" tam boyutlu özelleştirme, duvar kalınlığı tolerans kontrolü ± 0.5mm

Termal alan dağılımını optimize etmek için 1.83g/cm³ gradyan yoğunluk yapısı seçilebilir

Bor Nitrür Kompozit Kaplama ve Rhenium Metal Kenar Güçlendirme gibi katma değerli işlemler sağlayın

Tipik uygulama senaryosu

Fotovoltaik endüstri

Monokristalin Silikon Çubuk Sürekli Çizim: G12 için uygun G12 büyük boy silikon gofret üretimi, Destek ≥500kg yükleme kapasitesi

N-Tip Topcon Pil: Ultra-Düşük safsızlık göçü Azınlık Yaşamını Garantiler> 2ms

Termal alan yükseltme: ana akım tek kristal fırın modelleriyle uyumlu (PVI, Ferrotec, vb.)

Yarı iletken üretimi

8-12 inç Yarıiletken Sınıfı Monokristal Silikon Büyümesi: Yarı Standart Class-10 Temizlik Gereksinimleri

Özel katkılı kristaller: bor/fosfor dağılımının kesin kontrolü

Üçüncü nesil yarı iletken: uyumlu SIC tek kristal hazırlama işlemi

Bilimsel araştırma alanı

Uzay güneş pilleri için ultra ince silikon gofretlerin araştırılması ve geliştirilmesi

Yeni Kristal Malzemelerin Büyüme Testi (Germanyum, Galyum Arsenid)

Parametre Araştırması Limit (3000 ℃ ultra yüksek sıcaklık erime deneyi)

Kalite Güvence Sistemi

ISO 9001/14001 Çift Sistem Sertifikası

Müşteriler için Malzeme Test Raporu Sağlayın (XRD Kompozisyon Analizi, SEM mikroyapı)

Tüm işlem izlenebilirlik sistemi (lazer işaretleme + blockchain depolama)