Vetek Semiconductor, Çin'de CVD SIC kaplı eteğin önde gelen üreticisi ve lideridir. Ana CVD SIC kaplama ürünlerimiz arasında CVD SIC kaplı etek, CVD SIC kaplama halkası bulunmaktadır. İletişiminizi dört gözle bekliyorum.
Vetek Semiconductor, Çin'de CVD SIC kaplı etek için profesyonel bir üreticidir.
Aixtron Equipment'ın derin ultraviyole epitaksi teknolojisi, yarı iletken üretiminde önemli bir rol oynamaktadır. Bu teknoloji, gofret performansı ve fonksiyonunun kesin kontrolünü sağlamak için epitaksiyal büyüme yoluyla gofretin yüzeyine çeşitli malzemeleri biriktirmek için derin bir ultraviyole ışık kaynağı kullanır. Derin ultraviyole epitaksi teknolojisi, LED'lerden yarı iletken lazerlere kadar çeşitli elektronik cihazların üretimini kapsayan çok çeşitli uygulamalarda kullanılır.
Bu süreçte, CVD SIC kaplı etek kilit bir rol oynar. Epitaksiyal büyüme sırasında homojenlik ve stabilite sağlamak için epitaksiyal tabakayı desteklemek ve epitaksiyal tabakayı döndürmek için tasarlanmıştır. Grafit suyunun dönüş hızını ve yönünü tam olarak kontrol ederek, epitaksiyal taşıyıcının büyüme süreci doğru bir şekilde kontrol edilebilir.
Ürün, mükemmel performans ve uzun hizmet ömrü sağlayan yüksek kaliteli grafit ve silisyum karbür kaplamadan yapılmıştır. İthal grafit malzeme, ürünün çeşitli çalışma ortamlarında iyi performans gösterebilmesi için stabilitesini ve güvenilirliğini sağlar. Kaplama açısından, kaplamanın tekdüzeliğini ve stabilitesini sağlamak için 5 ppm'den daha düşük bir silisyum karbür malzemesi kullanılır. Aynı zamanda, yeni süreç ve grafit malzemenin termal genleşme katsayısı iyi bir uyum oluşturarak ürünün yüksek sıcaklık direncini ve termal şok direncini artırır, böylece yüksek sıcaklık ortamında hala istikrarlı performansı koruyabilir.
CVD SiC Kaplamalı Eteğin temel fiziksel özellikleri:
CVD SiC kaplamanın temel fiziksel özellikleri
Mülk
Tipik değer
Kristal Yapısı
FCC β faz polikristalin, esas olarak (111) yönelimli
Yoğunluk
3,21 g/cm³
Sertlik
2500 Vickers sertliği (500g yük)
Tane Boyutu
2 ~ 10mm
Kimyasal Saflık
% 99.99995
Isı kapasitesi
640 j · kg-1· K-1
Süblimasyon sıcaklığı
2700°C
Bükülme mukavemeti
415 MPA RT 4 noktalı
Young Modülü
430 Gpa 4nokta viraj, 1300°C
Isı İletkenliği
300W · m-1· K-1
Termal Genleşme (CTE)
4,5×10-6K-1
Vetek Semiconductor CVD SIC Kaplı Etek Ürünleri Mağazalar:
Yarı iletken çip epitaksi endüstri zincirine genel bakış:
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Size daha iyi bir gezinme deneyimi sunmak, site trafiğini analiz etmek ve içeriği kişiselleştirmek için çerezleri kullanıyoruz. Bu siteyi kullanarak çerez kullanımımızı kabul etmiş olursunuz. Gizlilik Politikası