Gözenekli Grafit Kılavuz Halkası

Temel Ürün Avantajları

1. Ultra Yüksek Saflık ve Düşük Kusur Garantisi

Oksijen ve nitrojen gibi metalik olmayan safsızlıkları derinlemesine gidermek için 3000°C vakumlu yüksek sıcaklıkta saflaştırma işlemini benimser ve ürün saflığını %≥99,9995'e çıkarır. Safsızlığın neden olduğu kristal kusurlarını (örn. mikrotübüller, dislokasyonlar) kaynaktan ortadan kaldırır, SiC tek kristallerinin elektriksel özelliklerinin tutarlılığını ve stabilitesini sağlar ve yüksek kaliteli kristal büyümesi için sağlam bir temel oluşturur.

2. Ultra Yüksek Sıcaklık Kararlılığı ve Hassas Termal Alan Düzenlemesi

Argon veya vakum ortamında 2200°C'lik aşırı yüksek sıcaklıklara dayanabilir, yumuşama veya deformasyon olmadan 1000 saatten fazla sürekli ve stabil şekilde çalışabilir. Ürün, termal stresin neden olduğu malzeme çatlamasını etkili bir şekilde önleyebilen düşük bir termal genleşme katsayısına sahiptir. Gözenekliliğin gradyan dağıtım tasarımını (%15-30) destekler ve CFD (Hesaplamalı Akışkanlar Dinamiği) simülasyon teknolojisi ile birlikte gözenek boyutunu (10-200μm) optimize eder, sıcaklık gradyanı dalgalanmasını ±3°C dahilinde kontrol eder ve termal alan tekdüzeliğini ve kristal büyüme tutarlılığını önemli ölçüde artırır.

3. Özelleştirilmiş Uyarlama ve Tam Senaryo Memnuniyeti

• Geometrik Şekil Uyarlaması: Mükemmel eşleştirme ve kurulum elde etmek için halka şeklindeki variller ve çok katmanlı kalkan yapıları gibi karmaşık şekilleri müşterilerin fırın yapılarına göre doğru bir şekilde işleyebilir.
• Yüzey İşleminin Özelleştirilmesi: Ultra hassas cilalama ve özel kaplamalar gibi kişiselleştirilmiş yüzey işleme hizmetleri sunarak ürünün korozyon direncini ve hizmet ömrünü büyük ölçüde artırır.

4. Performansı Doğrulanmış ve Verimlilik Yükseltildi

• PVT SiC kristalizasyon prosesinde çekirdek termal alan bileşeni olarak kullanıldığında pratik senaryolarla doğrulanmıştır:
• Kristal büyüme hızı, geleneksel grafit ürünlere kıyasla %15-%20 oranında artırılarak üretim döngüsü önemli ölçüde kısaltılır.
• 4 inçlik SiC tek kristal levhaların verimi %90'ı aşarak üretim maliyetlerini etkili bir şekilde azaltır.
• Ekipman bakım döngüsü geleneksel 3 aydan 6 aya uzatılarak kapatma bakımının sıklığı azaltılır ve üretim verimliliği artar.
  
  

Uygulama Senaryoları

• PVT Büyütme Fırını Düzeneği: SiC malzemesinin süblimasyonu ve kristal büyümesi için temel bileşen olarak görev yapar ve kristalizasyon sürecinin düzgün ilerlemesini sağlamak için kararlı ve tekdüze termal alan dağılımı sağlar.
• Termal Alan Koruma Bileşeni: Eşsiz gözenekli yapı, termal stresi etkili bir şekilde tamponlayabilir, ekipman aşınmasını azaltabilir ve ekipmanın genel hizmet ömrünü uzatabilir.
• Tohum Kristali Destek Aksesuarı: Yönlü kristal büyümesinin hassasiyetini garanti eden, tohum kristallerini stabil bir şekilde desteklemek için yüksek mekanik güce sahiptir.
• Gaz Difüzyon Katmanı: Gaz fazı transfer verimliliğini optimize eder, ham maddelerin tekdüze süblimleşmesini ve birikmesini destekler ve tek kristal kalitesini ve büyüme oranını daha da artırır.

Teknik Parametreler

Temel Rekabetçi Öne Çıkanlar

• Aşırı Yüksek Sıcaklık Performansı: Yumuşama veya deformasyon olmadan 2200°C'de yapısal stabiliteyi korur ve aşırı proses gereksinimlerini karşılamak için 1000 saatin üzerinde sürekli çalışmayı destekler.
• Özelleştirilmiş Termal Alan Çözümü: Gözenek gradyanı tasarımını optimize etmek, müşterilerin proses ihtiyaçlarını doğru bir şekilde eşleştirmek ve kristal tekdüzeliğini ve ürün verimini artırmak için CFD simülasyon teknolojisine dayanır.
• Hızlı Yanıt Hizmeti: Süreç parametresi eşleştirme test hizmetleri sağlar ve 72 saat içinde prototip çözümler sunarak müşterilerin Ar-Ge ve üretim süreçlerini hızlandırmasına yardımcı olur.