TAC Kaplama Isıtıcı

VeTek Yarı İletken TaC Kaplama Isıtıcısı son derece yüksek bir erime noktasına sahiptir (yaklaşık 3880°C). Yüksek erime noktası, özellikle metal organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) işleminde galyum nitrür (GaN) epitaksiyel katmanlarının büyümesinde, son derece yüksek sıcaklıklarda çalışmasına olanak tanır. VeTek Semiconductor, müşterilerine özelleştirilmiş ürün çözümleri sunmaya kendini adamıştır. Sizden haber almayı sabırsızlıkla bekliyoruz.

Talep Gönder

Ürün Açıklaması

TaC Kaplama Isıtıcısı, yarı iletken üretim süreçlerinde yaygın olarak kullanılan yüksek performanslı bir ısıtma elemanıdır. Yüzeyi, ısıtıcıya mükemmel yüksek sıcaklık direnci, kimyasal korozyon direnci ve mükemmel termal iletkenlik sağlayan tantal karbür (TaC) malzemeyle kaplanmıştır.

Yarı iletken üretiminde TaC Kaplama Isıtıcısının ana uygulamaları şunları içerir:

✔ Galyum nitrür (GaN) epitaksiyel büyüme süreci sırasında TaC Kaplama Isıtıcı, epitaksiyel katmanın alt tabaka üzerinde eşit bir oranda ve yüksek kalitede birikmesini sağlamak için hassas bir şekilde kontrol edilen yüksek sıcaklık ortamı sağlar. Kararlı ısı çıkışı, ince film malzemelerinin hassas kontrolünün sağlanmasına yardımcı olarak cihazın performansını artırır.

✔ Ayrıca metal organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) prosesinde, TaC kaplamanın yüksek sıcaklık dayanımı ve termal iletkenliği ile birleştiğinde, TaC Kaplama Isıtıcısı genellikle reaksiyon gazını ısıtmak için kullanılır ve düzgün ısı dağılımı sağlayarak, Substrat yüzeyindeki kimyasal reaksiyonunu teşvik eder, böylece epitaksiyel tabakanın homojenliğini arttırır ve yüksek kaliteli bir film oluşturur.

✔ TaC Kaplama Isıtıcı ürünlerinde sektör lideri olan VeTek Semiconducto, ürün özelleştirme hizmetlerini ve tatmin edici ürün fiyatlarını her zaman destekler. Özel gereksinimleriniz ne olursa olsun, TaC Kaplama Isıtıcı ihtiyaçlarınız için en iyi çözümü karşılayacağız ve danışmanlığınızı her zaman sabırsızlıkla bekliyoruz.