Alüminyum Nitrür (AlN) Gofretler

1. Temel Özellikler ve Avantajlar

• Ultra geniş bant aralığı ≈ 6,2 eV — ana akım yarı iletken malzemeler arasında en yüksek değer

• Verimli ısı dağıtımı için yüksek termal iletkenlik ≈ 320 W/m·K

• Mükemmel elektrik yalıtımı (>10¹³ Ω·cm) ve yüksek arıza alanı (12–15 MV/cm)

• GaN ile iyi kafes ve termal genleşme uyumu — GaN-on-AlN heteroyapıları için ideal

• Sıkı HR-XRD sallanan eğri kontrolüyle düşük dislokasyon yoğunluğu seçenekleri

• Al-yüzlü CMP (Ra ≤ 0,5 nm) ve epi-hazır yüzeyler için N-yüzlü MP

• Üretim ve araştırma gereksinimlerine uyum sağlamak için birden fazla boyut ve kalite derecesi (P/R/D)

2. Tipik Uygulamalar

• Radar ve 6G iletişimleri için yüksek güçlü RF cihazları

• Şebeke, veri merkezleri ve elektrikli araçlar için yüksek voltajlı güç elektroniği

• Derin ultraviyole (UVC) LED'ler ve lazer diyotlar

• GaN-on-AlN epitaksiyel büyüme ve gelişmiş heteroyapı cihazları

• Yüksek sıcaklık, yüksek frekans ve zorlu ortamlara dayanıklı yarı iletken bileşenler

3. Mevcut Boyutlar ve Kalite Sınıfları

VeTek AlN levhaları aşağıdaki standart formatlarda sunmaktadır. Talep üzerine özel boyutlar ve özellikler tartışılabilir.

• 10 × 10 mm kare yüzeyler

• 1 inç (25,4 mm) levhalar

• 2 inç (50,8 mm) levhalar

Kalite dereceleri: P sınıfı (Ürün), R sınıfı (Araştırma), D sınıfı (Deneysel), temel olarak HR-XRD sallanan eğri FWHM ve genel kristal kalitesiyle farklılık gösterir.

4. Temel Teknik Özellikler

Boyutlar arasında ortak parametreler (tipik değerler; belirtildiği yerde dereceye bağlıdır):

Boyuta özel geometrik toleranslar:

• 10×10 mm: Kenar uzunluğu 10 mm ± 0,5 mm; TTV ≤ 15 μm; Yay ≤ 15 μm

• 1 inç: Çap 25,4 mm ± 0,5 mm; Kullanılabilir alan ≥ %90; TTV ≤ 20 μm; Yay ≤ 20 μm; Birincil düz (10-10) ± 5°, uzunluk 8 mm ± 1 mm

• 2 inç: Çap 50,8 mm ± 0,5 mm; Kullanılabilir alan ≥ %90; TTV ≤ 30 μm; Yay ≤ 30 μm; Birincil düz uzunluk 16 mm ± 2 mm

5. Neden VeTek AlN Gofretleri Seçmelisiniz?

Gelişmiş yarı iletken malzeme ve bileşenlerin uzman tedarikçisi olarak VeTek Semiconductor şunları sağlar:

• Kontrollü kristal kalitesine ve epi-hazır yüzeylere sahip yüksek kaliteli AlN tek kristal levhalar

• Hem cihaz üretimini hem de araştırma programlarını desteklemek için çoklu boyut ve derece seçenekleri

• VeTek yarı iletken malzeme portföyü kapsamında tamamlayıcı levha ve alt tabaka çözümleri

• Malzeme seçimi ve süreç eşleştirme için teknik destek

AlN levhalarımız, müşterilerin alüminyum nitrürün sunduğu ultra geniş bant aralığı, yüksek termal iletkenlik ve GaN uyumluluğunun benzersiz kombinasyonunu talep eden yüksek güçlü RF, yüksek voltajlı güç ve derin UV optoelektronik cihazlarının geliştirilmesini hızlandırmasına yardımcı olur.