CVD sic kaplama varil suyunu

Epitaksi büyümesi, tek bir kristal substrat (substrat) üzerinde tek bir kristal film (tek kristal tabaka) yetiştirme işlemidir. Bu tek kristal filme epilayer denir. Epilayer ve substrat aynı malzemeden yapıldığında, buna homoepitaksiyal büyüme denir; Farklı malzemelerden yapıldıklarında buna heteroepitaksiyal büyüme denir.

Epitaksiyal reaksiyon odasının yapısına göre, iki tip vardır: yatay ve dikey. Dikey epitaksiyal fırının duyucusu çalışma sırasında sürekli olarak döner, bu nedenle iyi bir tekdüzelik ve büyük üretim hacmine sahiptir ve ana akım epitaksiyal büyüme çözümü haline gelmiştir. Ve Vetek Semiconductor, EPI için SIC kaplı grafit varil suyunun üretim uzmanıdır.

MOCVD ve HVPE gibi epitaksiyal büyüme ekipmanlarında, büyüme sürecinde stabil kalmasını sağlamak için gofreti sabitlemek için SIC kaplı grafit namlu duyucuları kullanılır. Gofret namlu tipi suskun üzerine yerleştirilir. Üretim süreci ilerledikçe, sisseptor gofretleri eşit olarak ısıtmak için sürekli dönerken, gofret yüzeyi reaksiyon gazı akışına maruz kalır ve sonuçta düzgün epitaksiyal büyüme elde eder.

CVD sic kaplama varil tipi suskun şeması

Epitaksiyal büyüme fırını, aşındırıcı gazlarla dolu yüksek sıcaklıkta bir ortamdır. Böyle sert bir ortamın üstesinden gelmek için Vetek Semiconductor, CVD yöntemi aracılığıyla grafit namlu suyuna bir SIC kaplama tabakası ekledi, böylece bir SIC kaplamalı grafit varil suskun

Yapısal Özellikler:

●  Tek tip sıcaklık dağılımı: Namlu şeklindeki yapı, ısıyı daha eşit olarak dağıtabilir ve lokal aşırı ısınma veya soğutma nedeniyle gofretin stresini veya deformasyonunu önleyebilir.

●  Hava akışını azaltın: Namlu şeklindeki suyunun tasarımı, reaksiyon odasındaki hava akışının dağılımını optimize edebilir, bu da gazın gofret yüzeyinden düzgün bir şekilde akmasına izin verir, bu da düz ve düzgün bir epitaksiyal tabaka üretilmesine yardımcı olur.

●  Dönme mekanizması: Namlu şeklindeki suyunun rotasyon mekanizması, epitaksiyal tabakanın kalınlık kıvamını ve malzeme özelliklerini geliştirir.

●  Büyük ölçekli üretim: Namlu şeklindeki sensör, büyük ölçekli kütle üretimi için uygun olan 200 mm veya 300 mm gofret gibi büyük gofret taşırken yapısal stabilitesini koruyabilir.

Vetek Semiconductor CVD SIC kaplama namlu tipi suslist, suyunun aşındırıcı gaz ortamında uzun süre çalışmasını sağlayan ve iyi termal iletkenlik ve stabil mekanik desteğe sahip olan yüksek saflıkta grafit ve CVD SIC kaplamasından oluşur. Gofretin eşit olarak ısıtıldığından ve hassas epitaksiyal büyüme elde ettiğinden emin olun.

CVD SIC kaplamanın temel fiziksel özellikleri

CVD SIC kaplamanın temel fiziksel özellikleri
Mülk	Tipik değer
Kristal yapısı	FCC β faz polikristalin, esas olarak (111) yönelimli
Yoğunluk	3.21 g/cm³
Sertlik	2500 Vickers sertliği （500g yük）
Tahıl boyutu	2 ~ 10mm
Kimyasal saflık	% 99.99995
Isı kapasitesi	640 j · kg-1· K-1
Süblimasyon sıcaklığı	2700 ℃
Bükülme mukavemeti	415 MPA RT 4 noktalı
Young Modülü	430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Termal iletkenlik	300W · m-1· K-1
Termal Genişleme (CTE)	4.5 × 10-6K-1

Vetek Semiconductor CVD SIC Kaplama Namlu Tipi Sinkör