CVD TAC Kaplı Üç Petal Kılavuz Yüzük

Silikon karbür tek kristal substrat malzemesi, geniş bant aralığı yarı iletken malzemeye ait bir tür kristal malzemedir. Yüksek voltaj direnci, yüksek sıcaklık direnci, yüksek frekans, düşük kayıp, vb. Avantajlarına sahiptir. Yüksek güçlü güç elektronik cihazlarının ve mikrodalga radyo frekans cihazlarının hazırlanması için temel bir malzemedir. Şu anda, SIC kristallerini büyütmenin ana yöntemleri fiziksel buhar taşınması (PVT yöntemi), yüksek sıcaklıklı kimyasal buhar birikimi (HTCVD yöntemi), sıvı faz yöntemi, vb.

Fiziksel Buhar Taşımacılığı (PVT) yöntemi, büyük ölçekli endüstriyel üretim için oldukça uygun iyi yerleşik bir tekniktir. Bu işlemde, bir sic tohum kristali potanın üstüne yerleştirilirken, hammadde olarak hizmet veren SIC tozu pota tabanına yerleştirilir. Kapalı bir ortamda yüksek sıcaklık ve düşük basınç koşulları altında, SIC tozu süblimleşir. Sıcaklık gradyanı ve konsantrasyon farkı tarafından yönlendirilen süblimlenmiş türler, tohum kristalinin yakınındaki bölgeye doğru yukarı doğru hareket eder. Süper doymuş bir duruma ulaştıktan sonra, yeniden kristalleşme meydana gelir, bu da yetişkin SIC kristallerinin boyutu ve spesifik kristal tipi üzerinde hassas kontrol sağlar.

CVD TAC kaplı Üç - Petal Rehber halkası çoklu önemli işlevlere hizmet eder. Öncelikle, kristal büyüme alanının tek tip bir atmosfere maruz kalmasını sağlayarak gaz akışını yönlendirerek akışkan mekaniğini geliştirir. Ek olarak, SIC kristal büyüme işlemi sırasında ısıyı etkili bir şekilde dağıtır. Uygun sıcaklık gradyanını koruyarak, SIC kristalleri için büyüme koşullarını optimize eder ve eşit olmayan sıcaklık dağılımının neden olduğu kristal kusur riskini azaltır.