CVD TAC Kaplama Gezegensel SIC epitaksiyal Suyu

Aixtron gezegen reaktörü en gelişmişlerden biridirMOCVD ekipmanı. Birçok reaktör üreticisi için bir öğrenme şablonu haline geldi. Yatay laminer akış reaktörü prensibine dayanarak, farklı malzemeler arasında net bir geçiş sağlar ve belirli koşullar altında dönen bir levha üzerinde biriktirerek tek atomik katman alanındaki biriktirme hızı üzerinde benzersiz bir kontrole sahiptir. 

Bunlardan en kritik olanı çoklu dönüş mekanizmasıdır: reaktör, CVD TaC kaplama gezegensel SiC epitaksiyel suseptörünün çoklu dönüşlerini benimser. Bu dönüş, levhanın reaksiyon sırasında reaksiyon gazına eşit şekilde maruz kalmasına olanak tanır, böylece levha üzerinde biriken malzemenin katman kalınlığı, bileşim ve katkılama açısından mükemmel bir tekdüzeliğe sahip olmasını sağlar.

TAC seramik, yüksek erime noktası (3880 ° C), mükemmel termal iletkenlik, elektriksel iletkenlik, yüksek sertlik ve diğer mükemmel özelliklere sahip yüksek performanslı bir malzemedir, en önemlisi korozyon direnci ve oksidasyon direncidir. SIC ve Grup III nitrür yarı iletken malzemelerinin epitaksiyal büyüme koşulları için TAC, mükemmel kimyasal istikrara sahiptir. Bu nedenle, CVD yöntemi ile hazırlanan CVD TAC kaplama gezegensel SIC epitaksiyal sensör, açık avantajlara sahiptir.Sic epitaksiyal büyümeişlem.

TaC kaplı grafitin kesitinin SEM görüntüsü

● Yüksek sıcaklık direnci: SIC epitaksiyal büyüme sıcaklığı 1500 ℃ - 1700 ℃ veya daha yüksektir. Tac'ın erime noktası yaklaşık 4000 ℃ kadar yüksektir. SonraTaC kaplamaGrafit yüzeye uygulandığındagrafit parçalarıYüksek sıcaklıklarda iyi stabiliteyi koruyabilir, SiC epitaksiyel büyümesinin yüksek sıcaklık koşullarına dayanabilir ve epitaksiyel büyüme sürecinin düzgün ilerlemesini sağlayabilir.

●  Gelişmiş korozyon direnci:TaC kaplama iyi bir kimyasal stabiliteye sahiptir, bu kimyasal gazların grafit ile temasını etkili bir şekilde izole eder, grafitin paslanmasını önler ve grafit parçaların servis ömrünü uzatır.

● Geliştirilmiş termal iletkenlik: TAC kaplama, grafitin termal iletkenliğini artırabilir, böylece ısı grafit parçalarının yüzeyine daha eşit olarak dağıtılabilir ve SIC epitaksiyal büyümesi için kararlı bir sıcaklık ortamı sağlar. Bu, SIC epitaksiyal tabakasının büyüme homojenliğini artırmaya yardımcı olur.

● Safsızlık kontaminasyonunu azaltın: TaC kaplama, SiC ile reaksiyona girmez ve grafit kısımlardaki yabancı maddelerin SiC epitaksiyel katmanına yayılmasını önlemek için etkili bir bariyer görevi görebilir, böylece SiC epitaksiyel levhanın saflığını ve performansını artırır.

Vetek Semiconductor, CVD TAC kaplama gezegensel SIC epitaksiyal sensör yapımında yetenekli ve iyidir ve müşterilere oldukça özelleştirilmiş ürünler sağlayabilir. Soruşturmanızı dört gözle bekliyoruz.

Fiziksel özellikleriTantal karbür kaplama 

VeTek Semiconductor üretim mağazaları