MOCVD SIC kaplama Suyu

VeTek Yarı İletken MOCVD SiC Kaplama Süseptör yüksek kaliteli malzemeden yapılmıştırgrafittermal stabilitesi ve mükemmel termal iletkenliği (yaklaşık 120-150 W/m·K) nedeniyle seçilmiştir. Grafitin doğal özellikleri, onu içerideki zorlu koşullara dayanacak ideal bir malzeme haline getiriyorMOCVD reaktörleri. Performansını artırmak ve hizmet ömrünü uzatmak için grafit tutucu, dikkatli bir şekilde silisyum karbür (SiC) tabakasıyla kaplanır.

MOCVD SIC kaplama SuyuKimyasal buhar birikimi (CVD)Vemetal organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) işlemleri. Ana işlevi silikon veya silikon karbür (sic) gofretleri desteklemek ve ısıtmak ve yüksek sıcaklık bir ortamda düzgün gaz birikmesini sağlamaktır. Yarı iletken işlemede vazgeçilmez bir üründür.

Yarı iletken işlemede MOCVD SIC kaplama suyunun uygulamaları:

Gofret desteği ve ısıtma:

MOCVD SIC kaplama sensörünün sadece güçlü bir destek fonksiyonu olmakla kalmaz, aynı zamanda etkili bir şekilde ısıtabilirgofretKimyasal buhar biriktirme işleminin stabilitesini sağlamak için eşit olarak. Biriktirme işlemi sırasında, SiC kaplamanın yüksek termal iletkenliği, ısı enerjisini levhanın her alanına hızlı bir şekilde aktarabilir, yerel aşırı ısınmayı veya yetersiz sıcaklığı önleyebilir, böylece kimyasal gazın levha yüzeyinde eşit şekilde biriktirilebilmesini sağlar. Bu tekdüze ısıtma ve biriktirme etkisi, levha işlemenin tutarlılığını büyük ölçüde artırır, her bir levhanın yüzey film kalınlığını tekdüze hale getirir ve kusur oranını azaltır, yarı iletken cihazların üretim verimini ve performans güvenilirliğini daha da artırır.

Epitaksi Büyümesi:

içindeMOCVD süreciSiC kaplı taşıyıcılar epitaksi büyüme sürecindeki anahtar bileşenlerdir. Özellikle silikon ve silisyum karbür levhaları desteklemek ve ısıtmak için kullanılırlar, kimyasal buhar fazındaki malzemelerin levha yüzeyinde eşit ve doğru bir şekilde birikmesini sağlar, böylece yüksek kaliteli, hatasız ince film yapıları oluşturulur. SiC kaplamalar yalnızca yüksek sıcaklıklara dayanıklı olmakla kalmaz, aynı zamanda kirlenmeyi ve korozyonu önlemek için karmaşık proses ortamlarında kimyasal stabiliteyi de korur. Bu nedenle SiC kaplı taşıyıcılar, SiC güç cihazları (SiC MOSFET'ler ve diyotlar gibi), LED'ler (özellikle mavi ve ultraviyole LED'ler) ve fotovoltaik güneş pilleri gibi yüksek hassasiyetli yarı iletken cihazların epitaksi büyüme sürecinde hayati bir rol oynar.

Galyum Nitrür (GaN)ve galyum arsenide (GaAs) epitaksi:

SIC kaplı taşıyıcılar, mükemmel termal iletkenlikleri ve düşük termal genleşme katsayısından dolayı GaN ve GaAs epitaksiyal katmanlarının büyümesi için vazgeçilmez bir seçimdir. Etkin termal iletkenlikleri, epitaksiyal büyüme sırasında ısıyı eşit olarak dağıtabilir, bu da biriken malzeme tabakasının kontrollü bir sıcaklıkta eşit olarak büyümesini sağlar. Aynı zamanda, SIC'nin düşük termal genleşmesi, aşırı sıcaklık değişimleri altında boyutsal olarak stabil kalmasına izin verir, bu da gofret deformasyonu riskini etkili bir şekilde azaltır, böylece epitaksiyal tabakanın yüksek kalitesini ve tutarlılığını sağlar. Bu özellik, SIC kaplı taşıyıcıları yüksek frekanslı, yüksek güçlü elektronik cihazlar (GAN HEMT cihazları gibi) ve optik iletişim ve optoelektronik cihazlar (GAAS tabanlı lazerler ve dedektörler gibi) üretmek için ideal bir seçim haline getirir.

YarıiletkenMOCVD SiC kaplama tutucu mağazaları: