SiC Kaplamalı Namlu Süseptör

VeTek Semiconductor, Çin'in önde gelen SiC kaplama ve TaC kaplama üreticisi, tedarikçisi ve ihracatçısıdır. Mükemmel ürün kalitesi arayışına bağlı kalarak SiC Kaplamalı Namlu Suseptörümüz birçok müşteri tarafından memnun edilmiştir. Aşırı tasarım, kaliteli hammadde, yüksek performans ve rekabetçi fiyat, her müşterinin istediği şeydir ve aynı zamanda size sunabileceğimiz şey budur. Tabii ki, mükemmel satış sonrası hizmetimiz de gereklidir. SIC kaplamalı varil suskun hizmetlerimizle ilgileniyorsanız, şimdi bize danışabilirsiniz, size zamanında cevap vereceğiz!

Vetek Semiconductor SIC kaplamalı namlu suyeni esas olarak LPE Si EPI reaktörleri için kullanılır

LPE (Sıvı Faz Epitaksi) silikon epitaksi, silikon substratlar üzerine tek kristalli silikonun ince katmanlarını biriktirmek için yaygın olarak kullanılan bir yarı iletken epitaksiyel büyüme tekniğidir. Kristal büyümesini sağlamak için bir çözelti içindeki kimyasal reaksiyonlara dayanan sıvı fazda bir büyütme yöntemidir.

LPE silikon epitaksinin temel prensibi, substratın istenen malzemeyi içeren bir çözeltiye daldırılmasını, sıcaklığın ve çözelti bileşiminin kontrol edilmesini ve çözeltideki malzemenin tek kristalli bir silikon tabakası olarak büyümesine izin verilmesini içerir. Substrat yüzeyinde. Epitaksiyel büyüme sırasında büyüme koşullarının ve çözelti bileşiminin ayarlanmasıyla istenen kristal kalitesi, kalınlık ve katkı konsantrasyonu elde edilebilir.

LPE silikon epitaksi çeşitli özellikler ve avantajlar sunar. İlk olarak, nispeten düşük sıcaklıklarda gerçekleştirilebilir, malzemede termal stres ve safsızlık difüzyonunu azaltır. İkincisi, LPE silikon epitaksi, yüksek performanslı yarı iletken cihazların üretilmesine uygun yüksek homojenlik ve mükemmel kristal kalitesi sağlar. Ek olarak, LPE teknolojisi çok katmanlı ve hetero -yapılar gibi karmaşık yapıların büyümesini sağlar.

LPE silikon epitaksisinde SiC Kaplamalı Namlu Süseptör çok önemli bir epitaksiyel bileşendir. Tipik olarak sıcaklık ve atmosfer kontrolü sağlarken epitaksiyel büyüme için gerekli olan silikon substratları tutmak ve desteklemek için kullanılır. SiC kaplama, epitaksiyel büyüme sürecinin gereksinimlerini karşılayarak, suseptörün yüksek sıcaklık dayanıklılığını ve kimyasal stabilitesini artırır. SiC Kaplı Namlu Suseptör kullanılarak, epitaksiyel büyümenin verimliliği ve tutarlılığı iyileştirilebilir ve böylece yüksek kaliteli epitaksiyel katmanların büyümesi sağlanır.

CVD SiC kaplamanın temel fiziksel özellikleri

CVD SIC FİLM KRİSTAL YAPISI

VeTek Yarı İletkenSIC Kaplı Namlu Suyu Üretim Mağazaları