SIC kaplı gofret tutucu

VEtek Semiconductor’ın SIC kaplı gofret tutucu genellikle yarı iletken işleme sırasında gofretleri düzeltmek ve desteklemek için kullanılır. Yüksek performanslı birgofret taşıyıcıYarıiletken üretiminde yaygın olarak kullanılır. Bir tabakayı silikon karbür (sic) kaplayaraksubstrat, ürün substratın korozyondan etkili bir şekilde önlenmesi ve gofret taşıyıcının korozyon direncini ve mekanik mukavemetini iyileştirerek işleme işleminin stabilitesini ve hassas gereksinimlerini sağlayabilir.

SIC kaplı gofret tutucugenellikle yarı iletken işleme sırasında gofretleri düzeltmek ve desteklemek için kullanılır. Yarı iletken üretiminde yaygın olarak kullanılan yüksek performanslı bir gofret taşıyıcısıdır. Bir katmanı kaplayarakSilikon Karbür (sic)Substratın yüzeyinde, ürün substratın korozyondan etkili bir şekilde önlenmesi ve korozyon direncini ve mekanik mukavemetini geliştirebilir.gofret taşıyıcı, işleme işleminin istikrar ve hassas gereksinimlerini sağlamak.

Silikon karbür (sic) yaklaşık 2.730 ° C'lik bir erime noktasına sahiptir ve mükemmel termal iletkenliğe yaklaşık 120 - 180 w/m · k'dir. Bu özellik, yüksek sıcaklık işlemlerinde ısıyı hızlı bir şekilde dağıtabilir ve gofret ve taşıyıcı arasında aşırı ısınmayı önleyebilir. Bu nedenle, SIC kaplı gofret tutucu genellikle substrat olarak silikon karbür (sic) kaplı grafit kullanır.

SIC'nin (yaklaşık 2.500 HV'lik Vickers sertliği) son derece yüksek sertliği ile birleştiğinde, CVD işlemi tarafından biriken silikon karbür (sic) kaplama, SIC kaplı gofret tutucusunun aşınma direncini büyük ölçüde geliştiren yoğun ve güçlü bir koruyucu kaplama oluşturabilir.

Vetek Semiconductor'ın SIC kaplı gofret tutucu SIC kaplı grafitten yapılmıştır ve modern yarı iletken epitaksi süreçlerinde vazgeçilmez bir anahtar bileşendir. Grafitin mükemmel termal iletkenliğini (termal iletkenlik oda sıcaklığında yaklaşık 100-400 w/m · k) ve mekanik mukavemeti ve silikon karbürün mükemmel kimyasal korozyon direncini ve termal stabilitesini (SIC'nin eritme noktası 2.730 ° C'dir) günümüzün yüksek uçlu imalat ortamının sıkı gereksinimlerini mükemmel bir şekilde karşılamaktadır.

Bu tek waser tasarım tutucu,epitaksiyal süreçYüksek kaliteli, yüksek performanslı yarı iletken cihazların üretilmesine yardımcı olan parametreler. Eşsiz yapısal tasarımı, gofretin tüm işlem boyunca en fazla özen ve hassasiyetle ele alınmasını sağlar, böylece epitaksiyal tabakanın mükemmel kalitesini sağlar ve son yarı iletken ürünün performansını iyileştirir.

Çin'in liderliğiSic kaplamalıGofret Tutucu Üreticisi ve Lideri Vetek Semiconductor, ekipman ve süreç gereksinimlerinize göre özelleştirilmiş ürünler ve teknik hizmetler sağlayabilir.Çin'de uzun vadeli partneriniz olmayı içtenlikle umuyoruz.

CVD sic film kristal yapısının SEM verileri

CVD SIC kaplamanın temel fiziksel özellikleri

Vetek Semiconductor SIC kaplı gofret tutucu yapım mağazaları ：