Ürünler
Gofret Taşıyıcı için CVD SiC Kaplamalı Grafit Tutucu
  • Gofret Taşıyıcı için CVD SiC Kaplamalı Grafit TutucuGofret Taşıyıcı için CVD SiC Kaplamalı Grafit Tutucu

Gofret Taşıyıcı için CVD SiC Kaplamalı Grafit Tutucu

VETEK CVD SiC Kaplamalı Plaka Taşıyıcı için Grafit Tutucu, yarı iletken epitaksi işlemleri için tasarlanmış yüksek performanslı bir plaka destek bileşenidir. Ürün, alt tabaka olarak yüksek saflıkta grafit kullanır ve mükemmel termal stabilite, kimyasal direnç ve parçacık kontrolü sağlayan tekdüze bir CVD silisyum karbür (SiC) katmanıyla kaplanır. Kritik bir grafit tutucu bileşen olarak, reaksiyon odası içindeki levhaları doğrudan destekler ve düzgün sıcaklık dağılımının ve stabil epitaksiyel büyüme koşullarının korunmasına yardımcı olur.

1. Ürün Avantajları


  • Yüksek Saflıkta Malzeme:Yarı iletken sınıfı grafit malzeme ve yoğun SiC kaplama yapısı, kirlenme risklerini en aza indirir ve CVD SiC kaplı grafit tutucunun güvenilirliğini artırır.
  • Mükemmel Termal Tekdüzelik:Optimize edilmiş grafit yapısı ve SiC kaplama, istikrarlı ısı transferi ve düzgün levha sıcaklığı kontrolü sağlar.
  • Üstün Kimyasal Direnç:Yoğun SiC kaplama, proses gazlarına ve aşındırıcı ortamlara karşı güçlü bir direnç sunar.
  • Uzun Hizmet Ömrü:Yüksek sertlik ve aşınma direnci, yüksek sıcaklıktaki epitaksi koşulları altında dayanıklılığı artırır.
  • Düşük Partikül Üretimi:Yoğun CVD SiC yüzeyi parçacık salınımını azaltır ve levha proses güvenilirliğini artırır.
  • Özelleştirilmiş Tasarım Yeteneği:Ekipman gereksinimlerine göre farklı boyutlarda, yapılarda ve konfigürasyonlarda mevcuttur.



2. Teknik Özellikler

Öğe
Tipik Değer
Yüzey Malzemesi
Yüksek Saflıkta Grafit
Kaplama Malzemesi
CVD Silisyum Karbür (SiC)
SiC Saflığı
≥%99,999
Kaplama Kalınlığı
100 ± 20 μm (özelleştirilebilir)
Kaplama Kalınlığı Düzgünlüğü
Partiler arasında 10 μm dahilinde kontrol edilir
CVD SiC Kaplamanın Yoğunluğu
3,21 g/cm³
Isı İletkenliği
300 W/m·K
Termal Genleşme Katsayısı
4,5 × 10⁻⁶/K

3. Başvurular


  • SiC Epitaksi Süreci:Grafit tutucu, SiC epitaksi ekipmanında, yüksek sıcaklıkta epitaksiyel büyüme sırasında SiC substratlarını destekleyen bir levha taşıyıcı olarak kullanılır.
  • Silikon Epitaksi Süreci:Plakaları desteklemek ve sabit termal koşulları korumak için silikon epitaksiyel reaktörlerde uygulanır.
  • MOCVD Epitaksi:VETEK grafit tutucular MOCVD, LED epitaksi, GaN epitaksi, silikon epitaksi ve mükemmel termal tekdüzelik ve kimyasal stabilite gerektiren diğer yarı iletken üretim süreçleri için uygundur.
  • Yarı İletken Üretim Ekipmanları:LPE yatay fırınlar, Aixtron, NuFlare ve ilgili yarı iletken ekipmanlar dahil olmak üzere çeşitli epitaksi platformlarıyla uyumludur.



4. Neden VETEK'i Seçmelisiniz?

VETEK, grafit saflaştırma, hassas işleme, CVD kaplama ve denetim yeteneklerini birleştiren özelleştirilmiş CVD SiC kaplı grafit tutucu çözümleri sunar. Yarı iletken sınıfı grafit tutucu ürünlerimiz, zorlu levha taşıyıcı uygulamaları için yüksek saflığa, eşit kaplama kalınlığına, mükemmel termal performansa ve uzun hizmet ömrüne sahiptir.

Sıcak Etiketler: CVD SiC Kaplı Grafit Tutucu, Grafit Tutucu, SiC Kaplı Grafit Gofret Taşıyıcı, Yarı İletken Epitaksi Tutucu, MOCVD Grafit Tutucu, SiC Gofret Taşıyıcı, CVD SiC Grafit Tutucu
Talep Gönder
İletişim bilgileri
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Size daha iyi bir gezinme deneyimi sunmak, site trafiğini analiz etmek ve içeriği kişiselleştirmek için çerezleri kullanıyoruz. Bu siteyi kullanarak çerez kullanımımızı kabul etmiş olursunuz. Gizlilik Politikası
ReddetmekKabul etmek