CVD TaC Kaplamalı Süseptör

Ürün Tanımı ve Bileşimi

VETEK CVD TaC Kaplamalı Süseptör, özellikle üçüncü nesil yarı iletken (SiC, GaN, AlN) epitaksiyel işleme için kullanılan üst düzey bir levha taşıyıcı bileşenidir. Bu ürün iki yüksek performanslı malzemenin fiziksel avantajlarını birleştirir:

Yüksek Saflıkta Grafit Substrat: Alt tabakanın üstün yapısal dayanıklılığa, yüksek yoğunluğa ve termal işlem stabilitesine sahip olmasını sağlamak için izostatik presleme kalıplama işleminden yararlanır.

CVD TaC Kaplama: Gelişmiş Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD) teknolojisi ile grafit yüzey üzerinde yoğun, gerilimsiz bir Tantal Karbür (TaC) koruyucu katman büyütülür.

Temel Teknik Avantajlar: Olağanüstü Zorlu Ortamlara Uyarlanabilirlik

MOCVD prosesinde TaC kaplama sadece fiziksel bir koruyucu katman değil aynı zamanda proses tekrarlanabilirliğini sağlamanın da temelini oluşturur:

Aşırı Yüksek Sıcaklıklara Tolerans: TaC, 3880°C kadar yüksek bir erime noktasına sahiptir ve 1600°C'nin üzerindeki ultra yüksek sıcaklıktaki epitaksiyel işlemlerde bile mükemmel şekil stabilitesini korur.

Mükemmel Korozyon Direnci: NH₃(Amonyak) veya H₂(Hidrojen) içeren güçlü indirgeyici ortamlarda, TaC'nin korozyon hızı son derece düşüktür ve substrat kaybını ve yabancı maddelerin çökelmesini etkili bir şekilde önler.

Ultra Yüksek Saflık Garantisi: Kaplama saflığı %99,9995 kadar yüksektir. Yoğun yapısı grafit mikro gözeneklerini tamamen kapatarak epitaksiyel filmin son derece düşük kirlilik seviyelerine ulaşmasını sağlar.

Hassas Termal Alan Dağılımı: VETEK'in optimize edilmiş kaplama kontrol teknolojisi, suseptör yüzey sıcaklık farkının ±2°C dahilinde kontrol edilmesini sağlayarak, levha epitaksiyel katmanının kalınlığını ve dalga boyu tutarlılığını önemli ölçüde artırır.

Teknik Parametreler

Mikroskobik bir kesit üzerinde tantal karbür (TaC) kaplama:

Temel Uygulama Alanları

SiC (Silikon Karbür) Epitaksiyel Büyüme: 6 inç, 8 inç ve daha büyük boyutlu SiC güç cihazlarının üretimini destekler.

GaN (Galyum Nitrür) Tabanlı Cihazlar: Yüksek parlaklıktaki LED'ler, HEMT güç cihazları ve RF çipleri için MOCVD proseslerinde kullanılır.

AlN (Alüminyum Nitrür) ve UVC Büyümesi: Deep UV LED'ler gibi ultra geniş bant aralıklı malzemeler için aşırı yüksek sıcaklıkta (1400°C+) taşıyıcı çözümler sağlar.

Özelleştirilmiş Araştırma Desteği: Araştırma enstitülerinin çeşitli düzensiz parçalar ve çok delikli diskler için hassas özelleştirme ihtiyaçlarına uyum sağlar.

Uyumlu Modeller ve Özelleştirme Hizmetleri

VETEK, global ana akım MOCVD ekipmanlarına mükemmel şekilde uyum sağlayan hassas mekanik işleme ve kaplama yeteneklerine sahiptir:

AIXTRON: Çeşitli gezegensel dönüş disklerini ve tabanlarını destekler.

Veeco: K465i, Propel ve diğer dikey suseptör serilerini destekler.

ve Diğerleri: Tam uyumlu yedek parça veya yükseltme çözümleri sunar.