Ürünler
Katı SiC Odak Halkası
  • Katı SiC Odak HalkasıKatı SiC Odak Halkası
  • Katı SiC Odak HalkasıKatı SiC Odak Halkası

Katı SiC Odak Halkası

Veteksemi katı SiC odak halkası, levha kenarındaki elektrik alanını ve hava akışını hassas bir şekilde kontrol ederek dağlama homojenliğini ve proses stabilitesini önemli ölçüde artırır. Silikon, dielektrik ve bileşik yarı iletken malzemelere yönelik hassas aşındırma işlemlerinde yaygın olarak kullanılır ve seri üretim verimi ve ekipmanın uzun vadeli güvenilir çalışmasını sağlamak için önemli bir bileşendir.

1. Genel ürün bilgileri

Menşe Yeri:
Çin
Marka Adı:
Veteksem
Model Numarası:
Katı SiC odak halkası-01
Sertifika:
ISO9001

2. Ürün iş şartları

Minimum Sipariş Miktarı:
Pazarlığa tabi
Fiyat:
Özelleştirilmiş Teklif İçin İletişime Geçin
Paketleme Detayları:
Standart ihracat paketi
Teslimat süresi:
Teslim Süresi: Sipariş Onayından Sonra 30-45 Gün
Ödeme Koşulları:
T/T
Tedarik Yeteneği:
100 adet/Ay

3.Başvuru:Veteksem katı SiC odak halkası, levha kenarındaki elektrik alanını ve hava akışını hassas bir şekilde kontrol ederek dağlama homojenliğini ve proses stabilitesini önemli ölçüde artırır. Silikon, dielektrik ve bileşik yarı iletken malzemelere yönelik hassas aşındırma işlemlerinde yaygın olarak kullanılır ve seri üretim verimi ve ekipmanın uzun vadeli güvenilir çalışmasını sağlamak için önemli bir bileşendir.

Sağlanabilecek hizmetler:müşteri uygulama senaryo analizi, materyallerin eşleştirilmesi, teknik problem çözümü.

Şirket Profili:Semixlab'da 2 laboratuvar, 20 yıllık malzeme tecrübesine sahip, Ar-Ge ve üretim, test ve doğrulama yeteneklerine sahip uzman bir ekip bulunmaktadır.


4.Tanım:

Veteksem katı SiC odak halkası, gelişmiş yarı iletken aşındırma işlemleri için özel olarak tasarlanmıştır. Yüksek saflıkta silisyum karbürden hassas bir şekilde üretilmiş olup, mükemmel yüksek sıcaklık direnci, plazma korozyon direnci ve mekanik stabilite sunar. Çeşitli zorlu yarı iletken üretim ortamlarına uygun olan bu ürün, proses tekdüzeliğini önemli ölçüde artırır, ekipman bakım döngülerini uzatır ve genel üretim maliyetlerini azaltır.


5.TTeknik Parametreler

Proje
Parametre
Malzeme
Yüksek saflıkta sinterlenmiş silisyum karbür
Yoğunluk
≥3,10 g/cm3
Isı iletkenliği
120 W/m·K(@25°C)
Termal genleşme katsayısı
4.0×10-6/°C(20-1000°C)
Yüzey pürüzlülüğü
Ra≤0,5μm (standart), 0,2μm'ye kadar özelleştirilebilir
Uygulanabilir cihazlar
Applied Materials, Lam Research ve TEL gibi ana akım gravür makinelerine uygulanabilir


6.Ana uygulama alanları

Uygulama yönü
Uygulama yönüTipik senaryo
Yarı iletken aşındırma işlemi
Silikon aşındırma, dielektrik aşındırma, metal aşındırma vb.
Yüksek güçlü cihaz imalatı
SiC ve GaN tabanlı cihaz aşındırma işlemi
Gelişmiş Paketleme
Gofret Seviyesi Paketlemede Kuru Dağlama İşlemi


7. Veteksemi katı SiC odak halkası çekirdeğinin avantajları


Mükemmel plazma korozyon direnci

CF4, O2 ve Cl2 gibi son derece aşındırıcı, yüksek yoğunluklu plazmalara uzun süre maruz kalan geleneksel malzemeler, hızlı aşınmaya ve parçacık kirliliğine karşı hassastır. Katı SiC odak halkamız, kuvars veya alümina gibi malzemelerinkinden çok daha düşük bir korozyon hızıyla mükemmel korozyon direnci sergiler. Bu, zaman içinde pürüzsüz bir yüzeyi koruduğu, bileşen aşınması ve yıpranmasından kaynaklanan levha kusurları riskini önemli ölçüde azaltarak sürekli ve istikrarlı seri üretim sağladığı anlamına gelir.


Mükemmel yüksek sıcaklık kararlılığı ve termal yönetim performansı

Yarı iletken aşındırma işlemi önemli miktarda ısı üreterek hazne bileşenlerinin dramatik sıcaklık dalgalanmalarına maruz kalmasına neden olur. Odak halkalarımız son derece düşük bir termal genleşme katsayısına sahiptir ve çatlama veya deformasyon olmadan 1600°C'ye kadar geçici sıcaklıklara dayanma kapasitesine sahiptir. Ayrıca, doğal yüksek termal iletkenlikleri, ısının eşit ve hızlı bir şekilde dağıtılmasına yardımcı olarak levha kenarındaki sıcaklık dağılımını etkili bir şekilde iyileştirerek ısıyı iyileştirir.Tüm plaka boyunca aşındırma tekdüzeliği ve kritik boyutların tutarlılığı.


Olağanüstü malzeme saflığı ve yapısal yoğunluk

Silisyum karbür ham maddelerinin saflığını (≥%99,999) sıkı bir şekilde kontrol ediyoruz ve eser safsızlık kontrolüne yönelik gelişmiş üretim süreçlerinin katı gereksinimlerini karşılamak için sinterleme işlemi sırasında metal kirliliğini ortadan kaldırıyoruz. Yüksek sıcaklıkta sinterleme yoluyla oluşturulan yoğun yapı, son derece düşük gözenekliliğe sahiptir ve proses gazlarının ve yan ürünlerin nüfuzunu neredeyse tamamen engeller. Bu, dahili malzeme bozulmasının neden olduğu performans bozulmasını ve parçacık büyümesini önleyerek saf bir proses odası ortamı sağlar.


Uzun ömürlü mekanik ömür ve kapsamlı maliyet etkinliği

Sık sık değiştirilmesi gereken geleneksel sarf malzemeleriyle karşılaştırıldığında Veteksemi katı SiC odak halkaları olağanüstü dayanıklılık sunar. Servis ömürleri boyunca istikrarlı performansı korurlar ve değiştirme döngülerini birkaç kez uzatırlar. Bu, yalnızca yedek parça tedarik maliyetlerini doğrudan azaltmakla kalmaz, aynı zamanda ekipmanın bakım nedeniyle aksama süresini azaltarak makine kullanımını önemli ölçüde artırır ve bu da müşteriler için önemli genel maliyet avantajları sağlar.


Hassas boyut kontrolü ve esnek özelleştirme hizmetleri

Sarf malzemelerine yönelik farklı makine ve süreçlerin kesin gereksinimlerini anlıyoruz. Her odak halkası, ±0,05 mm dahilindeki kritik boyut toleranslarını sağlamak için hassas işleme ve sıkı testlere tabi tutulur. Ayrıca özel boyutlar, yüzey kaplamaları (Ra ≤ 0,2μm'ye kadar parlatma) ve özel proses gereksinimlerinize ve uygulama senaryolarınıza mükemmel şekilde uyacak iletkenlik ayarlamaları dahil olmak üzere özelleştirilmiş hizmetler de sunuyoruz.


Ayrıntılı teknik spesifikasyonlar, teknik incelemeler veya örnek test düzenlemeleri için lütfen Teknik Destek Ekibimizle iletişime geçerek Veteksemi'nin proses verimliliğinizi nasıl artırabileceğini keşfedin.





Sıcak Etiketler: Katı SiC Odak Halkası
Talep Gönder
İletişim bilgileri
Silisyum Karbür Kaplama, Tantal Karbür Kaplama, Özel Grafit veya fiyat listesi ile ilgili sorularınız için lütfen e-posta adresinizi bize bırakın, 24 saat içinde sizinle iletişime geçeceğiz.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept