VeTek Semiconductor, müşteriler için TaC Kaplamalı Grafit Gofret Taşıyıcıyı özenle tasarladı. Çeşitli levha epitaksiyel levha işlemeye uygun, yüksek saflıkta grafit ve TaC kaplamadan oluşur. Uzun yıllardır SiC ve TaC kaplama konusunda uzmanlaştık. SiC kaplamayla karşılaştırıldığında TaC kaplı grafit levha taşıyıcımız daha yüksek sıcaklık direncine ve aşınmaya karşı dayanıklıdır. Çin'deki uzun vadeli ortağınız olmayı sabırsızlıkla bekliyoruz.
Vetek Semiconductor'dan özelleştirilmiş TAC kaplı grafit gofret taşıyıcı satın almanızdan emin olabilirsiniz. Sizinle işbirliği yapmayı dört gözle bekliyoruz, daha fazla bilgi edinmek istiyorsanız, şimdi bize danışabilirsiniz, size zamanında cevap vereceğiz!
VeTek Yarı İletken TaC Kaplamalı Grafit Gofret Taşıyıcı, epitaksi reaktöründeki plakalarla doğrudan etkileşime girerek verimliliği ve performansı artırır. Silisyum karbür veya tantal karbür kaplama seçeneği ile VeTek Yarı İletken TaC Kaplamalı Grafit Gofret Taşıyıcı, tantal karbür ile 2-3 kata kadar daha uzun kullanım ömrü sunar. LPE SiC epitaksi fırınları, JSG, NASO epitaksiyel fırınları dahil olmak üzere çeşitli makine modelleriyle uyumludur.
VeTek Yarı İletken TaC kaplı grafit taşıyıcı, hassas reaksiyon stokiyometrisi sağlar, yabancı maddelerin geçişini önler ve 2000°C'nin ötesinde sıcaklık stabilitesini korur. H2, NH3, SiH4 ve Si'ye karşı olağanüstü direnç göstererek zorlu kimyasal ortamlara karşı koruma sağlar. Termal şoklara dayanıklı olup, kaplamanın delaminasyonu olmadan hızlı çalışma döngülerine olanak tanır.
Vetek yarı iletken TAC kaplama ultra yüksek saflığı garanti eder, safsızlıkları ortadan kaldırır ve katı boyutsal toleransları karşılayan konformal kapsama alanı sağlar. Vetek Semiconductor'ın gelişmiş grafit işleme yetenekleriyle, özelleştirme ihtiyaçlarınızı karşılayacak şekilde donanımlıyız. İster kaplama hizmetlerine veya kapsamlı çözümlere ihtiyacınız olsun, uzman mühendisler ekibimiz özel uygulamalarınız için mükemmel bir çözüm tasarlamaya hazırdır. Gereksinimlerinize ve beklentilerinize göre uyarlanmış yüksek kaliteli ürünler sunmamıza güvenin.
Pvt yöntemi sic kristal büyümesi :
TAC kaplı grafit gofret taşıyıcısının ürün parametresi
TaC kaplamanın fiziksel özellikleri
Yoğunluk
14,3 (g/cm³)
Spesifik emisyon
0.3
Termal genleşme katsayısı
6.3 10-6/K
Sertlik (HK)
2000 Hong Kong
Rezistans
1×10-5Ohm*cm
Termal stabilite
<2500 ℃
Grafit boyutu değişiklikleri
-10 ~ -20um
Kaplama kalınlığı
≥20um tipik değer (35um±10um)
Yarıiletken Üretim Mağazasını karşılaştırın :
Yarıiletken çip epitaksi endüstri zincirine genel bakış:
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Size daha iyi bir gezinme deneyimi sunmak, site trafiğini analiz etmek ve içeriği kişiselleştirmek için çerezleri kullanıyoruz. Bu siteyi kullanarak çerez kullanımımızı kabul etmiş olursunuz. Gizlilik Politikası