SiC Kristal Büyümesi için Tantal Karbür (TaC) Kaplı Gözenekli Grafit

VeTek Yarı İletken Tantal Karbür Kaplamalı Gözenekli Grafit, SiC kristal büyüme ortamını dört temel teknik fonksiyon aracılığıyla optimize etmek için tasarlanmıştır:

● Buhar Bileşeni Filtrasyonu: Hassas gözenekli yapı, yüksek saflıkta bir filtre görevi görerek yalnızca istenen buhar fazlarının kristal oluşumuna katkıda bulunmasını sağlar ve böylece genel saflığı artırır.

● Hassas Sıcaklık Kontrolü: TaC kaplama, termal kararlılığı ve iletkenliği artırarak yerel sıcaklık değişimlerinin daha doğru ayarlanmasına ve büyüme oranları üzerinde daha iyi kontrol sağlanmasına olanak tanır.

● Kılavuzlu Akış Yönü: Yapısal tasarım, maddelerin yönlendirilmiş akışını kolaylaştırarak, malzemelerin düzgün büyümeyi teşvik etmek için tam olarak ihtiyaç duyulan yere iletilmesini sağlar.

● Etkili Sızıntı Kontrolü: Ürünümüz, büyüme atmosferinin bütünlüğünü ve stabilitesini korumak için mükemmel sızdırmazlık özellikleri sağlar.

TaC kaplamanın fiziksel özellikleri

Geleneksel Grafitle Karşılaştırma

Mikroskobik bir kesit üzerinde tantal karbür (TaC) kaplama

Uygulama Etkisi: PVT Sürecinde Kusur Minimizasyonu

PVT (Fiziksel Buhar Aktarımı) sürecinde, geleneksel grafitin VeTek'in TaC Kaplamalı Gözenekli Grafitiyle değiştirilmesi, şemada gösterilen yaygın kusurları doğrudan giderir:

● EKarbon Kapanımlarının Sınırlandırılması: Katı parçacıklara karşı bariyer görevi görerek, karbon kalıntılarını etkili bir şekilde ortadan kaldırır ve geleneksel potalarda yaygın olan mikropipleri azaltır.

● Yapısal Bütünlüğün Korunması: Uzun döngülü SiC tek kristal büyümesi sırasında aşındırma çukurlarının ve mikrotübüllerin oluşumunu engeller.

● Daha Yüksek Verim ve Kalite: Geleneksel malzemelerle karşılaştırıldığında, TaC kaplı bileşenler daha temiz bir büyüme ortamı sağlayarak önemli ölçüde daha yüksek kristal kalitesi ve üretim verimi sağlar.