Silisyum Karbür Kaplama

8 inçlik SiC epi üst halkası, yarı iletken reaktörlere yönelik bir donanım parçasıdır. Si/SiC epitaksi ve MOCVD/CVD sistemlerinde çalışır. Bu halka odanın içindeki ısıyı dengeler. Aynı zamanda gaz akışını da kontrol eder. Malzeme yüksek saflıkta CVD Silisyum Karbürdür. Grafitin gaz çıkarma sorunları yoktur. Ayrıca üretim sırasında partikül kontaminasyonunu da azaltır. Sorularınızı memnuniyetle karşılarız.

VETEK MOCVD SiC Kaplamalı Susceptor, özellikle LED ve bileşik yarı iletken epitaksiyel büyüme için geliştirilmiş, hassas şekilde tasarlanmış bir taşıyıcı çözümüdür. Karmaşık MOCVD ortamlarında olağanüstü termal homojenlik ve kimyasal inertlik gösterir. VETEK'in zorlu CVD biriktirme sürecinden yararlanarak, levha büyüme tutarlılığını artırmaya ve temel bileşenlerin hizmet ömrünü uzatmaya, yarı iletken üretiminizin her partisi için istikrarlı ve güvenilir performans güvencesi sağlamaya kendimizi adadık.

Veteksemicon Katı Silisyum Karbür (SiC) Odaklama Halkası, plazma dağılımının, termal homojenliğin ve levha kenar efektlerinin hassas kontrolünün gerekli olduğu ileri yarı iletken epitaksi ve plazma aşındırma işlemlerinde kullanılan kritik bir sarf malzemesi bileşenidir. Yüksek saflıkta katı silisyum karbürden üretilen bu odaklama halkası, olağanüstü plazma erozyon direnci, yüksek sıcaklık stabilitesi ve kimyasal eylemsizlik sergileyerek agresif proses koşulları altında güvenilir performans sağlar. Soruşturmanızı sabırsızlıkla bekliyoruz.

Veteksemicon SiC Kaplamalı Epitaksiyel Reaktör odası, zorlu yarı iletken epitaksiyel büyüme süreçleri için tasarlanmış bir çekirdek bileşendir. Gelişmiş kimyasal buhar biriktirme (CVD) kullanan bu ürün, yüksek mukavemetli bir grafit alt tabaka üzerinde yoğun, yüksek saflıkta bir SiC kaplama oluşturarak üstün yüksek sıcaklık stabilitesi ve korozyon direnci sağlar. Yüksek sıcaklıktaki proses ortamlarında reaktif gazların aşındırıcı etkilerine etkili bir şekilde direnç gösterir, partikül kirliliğini önemli ölçüde bastırır, tutarlı epitaksiyel malzeme kalitesi ve yüksek verim sağlar ve reaksiyon odasının bakım döngüsünü ve ömrünü önemli ölçüde uzatır. SiC ve GaN gibi geniş bant aralıklı yarı iletkenlerin üretim verimliliğini ve güvenilirliğini artırmak için önemli bir seçimdir.

Silisyum karbür epitaksiyel büyümenin temel sürecinde Veteksemicon, suseptör performansının epitaksiyel katmanın kalitesini ve üretim verimliliğini doğrudan belirlediğinin bilincindedir. SiC alanı için özel olarak tasarlanan yüksek saflıkta EPI sensörlerimiz, özel bir grafit alt tabaka ve yoğun bir CVD SiC kaplama kullanır. Üstün termal kararlılıkları, mükemmel korozyon direnci ve son derece düşük parçacık üretim hızıyla, zorlu yüksek sıcaklıktaki proses ortamlarında bile müşteriler için benzersiz kalınlık ve katkılama eşitliği sağlarlar. Veteksemicon'u seçmek, gelişmiş yarı iletken üretim süreçleriniz için güvenilirlik ve performansın temel taşını seçmek anlamına gelir.

ASM için Veteksemicon SiC kaplı grafit tutucu, yarı iletken epitaksiyel işlemlerde çekirdek taşıyıcı bir bileşendir. Bu ürün, yüksek sıcaklık ve aşındırıcı proses ortamlarında üstün performans ve ultra uzun kullanım ömrü sağlamak için tescilli pirolitik silisyum karbür kaplama teknolojimizi ve hassas işleme proseslerimizi kullanır. Epitaksiyel proseslerin alt tabaka saflığı, termal kararlılık ve tutarlılık konusundaki katı gerekliliklerini derinden anlıyoruz ve müşterilerimize genel ekipman performansını artıran istikrarlı, güvenilir çözümler sunmaya kendimizi adadık.