Silisyum Karbür Kaplama

VeTek'in bu AMAT 0200-03201 Plaka Kaldırma Pimi, yüksek saflıkta grafit ile başlıyor, ardından üzerine yoğun bir CVD SiC kaplama ekliyoruz. 300 mm epitaksi sistemleri ve Uygulamalı Malzemeler EPI reaktörleri için üretilmiştir. Neden grafit ve SiC? Grafit ısıyı gerçekten iyi idare eder. SiC katmanı aşındırıcı gazları alır ve hızlı bir şekilde aşınmaz. İnce duvar tasarımı mı? Bu, levhanın daha temiz kaldırılması ve konumlandırılması, daha az parçacık ve yüksek sıcaklıklarda daha uzun parça ömrü içindir. ASM, Aixtron ve LPE sistemleri için de benzer SiC kaplı grafit parçalar üretiyoruz. Soruşturmanızı sabırsızlıkla bekliyorum.

Vetek Semiconductor, GaN LED'ler, mavi-yeşil LED'ler ve derin UV LED büyümesi gibi LED epitaksi çalışmaları için özel olarak tasarlanmış VEECO MOCVD sistemleri için levha taşıyıcılar üretir. Bu taşıyıcılar yüksek saflıkta grafit ile başlar ve yoğun bir CVD silisyum karbür (SiC) kaplamaya sahiptir. Bu kombinasyon, MOCVD'de gördüğünüz yüksek sıcaklıklara bile dayanır; iyi termal stabilite, korozyon direnci ve kaplama uzun ömürlüdür.

Halfmoon, LPE SiC reaktörlerinde kullanılan ve çoğunlukla odanın sıcak bölgesinin çevresine monte edilen bir grafit bileşenidir. Plakayla doğrudan temas etmese de epitaksiyel büyüme sırasında gaz akış stabilitesinde ve reaktörün çalışmasında hala bir rol oynar. Yüksek sıcaklık ve reaktif proses koşullarının üstesinden gelmek için bileşen genellikle CVD SiC kaplamayla korunurken, bazı uygulamalar için TaC kaplama da mevcuttur. VETEK ayrıca SiC epitaksi sistemleri için grafit keçe izolasyonu ve diğer kaplamalı grafit parçaları da tedarik etmektedir.

8 inçlik SiC epi üst halkası, yarı iletken reaktörlere yönelik bir donanım parçasıdır. Si/SiC epitaksi ve MOCVD/CVD sistemlerinde çalışır. Bu halka odanın içindeki ısıyı dengeler. Aynı zamanda gaz akışını da kontrol eder. Malzeme yüksek saflıkta CVD Silisyum Karbürdür. Grafitin gaz çıkarma sorunları yoktur. Ayrıca üretim sırasında partikül kontaminasyonunu da azaltır. Sorularınızı memnuniyetle karşılarız.

VETEK MOCVD SiC Kaplamalı Susceptor, özellikle LED ve bileşik yarı iletken epitaksiyel büyüme için geliştirilmiş, hassas şekilde tasarlanmış bir taşıyıcı çözümüdür. Karmaşık MOCVD ortamlarında olağanüstü termal homojenlik ve kimyasal inertlik gösterir. VETEK'in zorlu CVD biriktirme sürecinden yararlanarak, levha büyüme tutarlılığını artırmaya ve temel bileşenlerin hizmet ömrünü uzatmaya, yarı iletken üretiminizin her partisi için istikrarlı ve güvenilir performans güvencesi sağlamaya kendimizi adadık.

Veteksemicon Katı Silisyum Karbür (SiC) Odaklama Halkası, plazma dağılımının, termal homojenliğin ve levha kenar efektlerinin hassas kontrolünün gerekli olduğu ileri yarı iletken epitaksi ve plazma aşındırma işlemlerinde kullanılan kritik bir sarf malzemesi bileşenidir. Yüksek saflıkta katı silisyum karbürden üretilen bu odaklama halkası, olağanüstü plazma erozyon direnci, yüksek sıcaklık stabilitesi ve kimyasal eylemsizlik sergileyerek agresif proses koşulları altında güvenilir performans sağlar. Soruşturmanızı sabırsızlıkla bekliyoruz.